申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-10-30

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN111129047B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：["20181031 US 62/753,562","20191007 US 16/595,092"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权;2020.06.02#实质审查的生效;2020.05.08#公开

摘要：一种影像感测器包含基板和在该基板中的具有第一尺寸的第一光电二极管。该影像感测器还包含在该基板中具有第二尺寸的第二光电二极管，其中该第一尺寸与该第二尺寸不同。该影像感测器还包含在该基板上的第一缓冲层。该影像感测器还包含在该第一缓冲层上的遮罩层，其中该第一缓冲层和该遮罩层定义与该第一光电二极管对准的第一凹陷和与该第二光电二极管对准的第二凹陷。该影像感测器还包含在该第一凹陷中的闪烁减弱层，其中该第二凹陷没有该闪烁减弱层。

主权项：1.一种影像感测器，其特征在于，包含：一基板；一第一光电二极管，具有一第一尺寸，在该基板中；一第二光电二极管，具有一第二尺寸，在该基板中，其中该第一尺寸不同于该第二尺寸；一第一缓冲层，在该基板上；一遮罩层，在该第一缓冲层上，其中该第一缓冲层和该遮罩层定义与该第一光电二极管对准的一第一凹陷及与该第二光电二极管对准的一第二凹陷；以及一闪烁减弱层，在该第一凹陷，其特征在于，该第二凹陷没有该闪烁减弱层，该闪烁减弱层还包含一突出部分，该突出部分沿着该遮罩层的顶表面延伸一突出距离，且该突出距离在与的范围内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 影像感测器及其制造方法

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