申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司

申请日：2020-01-03

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN111063700B

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L21/77

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权;2020.05.19#实质审查的生效;2020.04.24#公开

摘要：本公开提出一种阵列基板及其制备方法。所述阵列基板包括双层层间介质层，其中，所述双层层间介质层包括第一层间介质层和第二层间介质层，其中所述第二层间介质层是平坦化介质层，并且其中存在多个延伸通过所述第一和第二层间介质层的通孔。本公开的阵列基板可以消除由于高金属线厚度导致的高段差，并且其中的通孔能够在不使用光刻胶的情况下在层间介质层中形成，从而可以简化工艺和降低成本。

主权项：1.一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底；在所述衬底上的有源层；在所述有源层上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上的栅极；覆盖所述衬底、所述有源层和所述栅极的双层层间介质层；在所述双层层间介质层上的源漏极，所述源漏极与所述栅极在所述衬底上的正投影有交叠区域；覆盖所述源漏极和所述双层层间介质层上的钝化层；和在所述钝化层上的平坦化层；其中，所述双层层间介质层包括：与所述衬底、所述有源层和所述栅极接触的第一层间介质层，其中所述第一层间介质层的厚度范围为500至并且所述第一层间介质层的上表面保持所述衬底、所述有源层和所述栅极的上表面的不平坦形并具有段差；和与所述源漏极和所述钝化层接触的第二层间介质层，其中所述第二层间介质层是平坦化介质层，所述第二层间介质层消除所述第一层间介质层的上表面的段差，所述第二层间介质层的最大厚度为6000至并且其中存在多个延伸通过所述第一和第二层间介质层的通孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法

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