申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-05-21

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN111430261B

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/027;G03F7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要：本申请实施例提供了一种光刻机工艺稳定性检测方法及装置，可以利用测试掩模进行第一光刻得到待测结构，对待测结构进行扫描得到测试图像，利用测试图像和第一光刻的光刻参数建立图像与光刻参数的关联关系，这样，在实际工艺中，可以利用实际掩模进行第二光刻得到实际结构，而后对实际结构进行扫描得到实际图像，基于前述建立的图像与光刻参数的关联关系，可以确定实际图像对应的预测光刻参数，这里的预测光刻参数是计算得到的理论上能够得到实际图像所利用的光刻参数，基于预测光刻参数与第二光刻的光刻参数可以确定工艺偏差值，作为工艺检测结果，在提高预测准确性的同时，还减少了实际工艺中的计算量，能够高效的实现工艺的准确检测。

主权项：1.一种光刻机工艺稳定性检测方法，其特征在于，所述方法包括：获取实际图像；所述实际图像为对实际结构进行扫描得到的，所述实际结构利用实际掩模进行第二光刻得到；基于图像与光刻参数的关联关系，确定所述实际图像对应的预测光刻参数；所述图像与光刻参数的关联关系利用测试图像和第一光刻的光刻参数建立，所述测试图像为对待测结构进行扫描得到的，所述待测结构利用测试掩模进行第一光刻得到；基于所述预测光刻参数和所述第二光刻的光刻参数的比较结果，确定工艺偏差值；基于所述工艺偏差值，对所述第二光刻的光刻参数进行调整，或对光刻机进行校准；所述实际图像具有第一特征，所述测试图像具有第二特征，所述图像与光刻参数的关联关系利用所述第二特征和第一光刻的光刻参数建立，所述基于图像与光刻参数的关联关系，确定所述实际图像对应的预测光刻参数，包括：基于图像与光刻参数的关联关系，利用所述第一特征确定所述实际图像对应的预测光刻参数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种光刻机工艺稳定性检测方法及装置

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