申请/专利权人：株洲中车时代半导体有限公司

申请日：2020-07-13

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN111916422B

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/538;H01L23/00;H01L25/04;H01L25/07;H01L25/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权;2020.11.27#实质审查的生效;2020.11.10#公开

摘要：本发明提供一种功率模块封装结构，包括基板、陶瓷衬板、直流功率端子和交流功率端子。其中，陶瓷衬板键合在基板上。直流功率端子和交流功率端子键合在陶瓷衬板上。直流功率端子不少于两个，直流功率端子之间具有沿水平方向相对重合的部分，并且直流功率端子上沿水平方向相对重合的部分之间具有间隙。本发明提供的功率模块封装结构，通过直流功率端子之间间隔设置的沿水平方向大面积重合的部分，能够有效降低功率模块封装的整体电感。

主权项：1.一种功率模块封装结构，其特征在于，包括基板、陶瓷衬板、直流功率端子和交流功率端子；其中，所述陶瓷衬板键合在所述基板上；所述直流功率端子和所述交流功率端子键合在所述陶瓷衬板上；所述直流功率端子不少于两个，所述直流功率端子之间具有沿水平方向相对重合的部分，并且所述直流功率端子上沿水平方向相对重合的部分之间具有间隙;所述陶瓷衬板上键合有至少两个功率芯片；所述功率芯片之间通过DLB结构连接，所述DLB结构为铜排;所述DLB结构包括与所述陶瓷衬板键合的部分和与所述功率芯片键合的部分，与所述陶瓷衬板键合的部分和与所述功率芯片键合的部分通过桥形连接结构互相连接;所述DLB结构构造为对称式分体结构，所述分体结构之间通过分别与所述桥形连接结构连接的短接结构连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株洲中车时代半导体有限公司 一种功率模块封装结构

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