申请/专利权人：中国科学院过程工程研究所

申请日：2021-01-27

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN112938983B

主分类号：C01B33/021

分类号：C01B33/021;C01B33/037

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权;2021.07.02#实质审查的生效;2021.06.11#公开

摘要：本发明提供了一种基于晶体硅切割废料制备的再生硅及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1将晶体硅切割废料进行压块成型处理，得到块状硅料；2熔化第一渣剂，得到熔渣液；3将步骤1所得块状硅料持续性投入步骤2所得熔渣液中，进行第一熔渣精炼，得到第一精炼渣与溶体硅；4混合第二渣剂与步骤3所得溶体硅，进行第二熔渣精炼，得到第二精炼渣与再生硅；其中，步骤1与步骤2不分先后次序；步骤3所得第一精炼渣与步骤4所得第二精炼渣进行重复利用。本发明克服了废硅粉难熔、硼磷同步去除困难以及精炼过程炉底沉渣等不利于应用的技术问题，同时简化了工艺，降低了成本。

主权项：1.一种基于晶体硅切割废料制备再生硅的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）将晶体硅切割废料进行压块成型处理，得到块状硅料；（2）熔化钠硅系轻质渣剂，得到熔渣液；（3）将步骤（1）所得块状硅料持续性投入步骤（2）所得熔渣液中，进行温度为1600-1700℃的第一熔渣精炼，得到第一精炼渣与溶体硅；（4）混合钙硅系碱性渣剂与步骤（3）所得溶体硅，进行温度为1450-1550℃的第二熔渣精炼，得到第二精炼渣与再生硅；其中，步骤（1）与步骤（2）不分先后次序；步骤（3）所得第一精炼渣与步骤（4）所得第二精炼渣进行重复利用。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院过程工程研究所 一种基于晶体硅切割废料制备的再生硅及其制备方法

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