申请/专利权人：晶澳太阳能有限公司

申请日：2021-05-12

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN113355739B

主分类号：C30B15/04

分类号：C30B15/04;C30B29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权;2021.09.24#实质审查的生效;2021.09.07#公开

摘要：本发明公开一种单晶硅及其制备方法。该制备方法为直拉法，包括在惰性气体的环境下对多晶硅料进行熔融和拉晶的步骤；其中在该制备方法中添加掺杂剂，所述掺杂剂包括镓和锑。本发明提供的制备方法可以使掺镓单晶硅的纵向电阻率分布均匀，兼顾单晶硅的电阻率和生产成本。

主权项：1.一种单晶硅的制备方法，其特征在于，该制备方法为直拉法，包括在惰性气体的环境下对多晶硅料进行熔融和拉晶的步骤；在该制备方法中添加掺杂剂，所述掺杂剂包括镓和锑；所述步骤用于在一个单晶炉中制备n棒单晶硅，n为大于等于2的整数，在制备前n-1棒单晶硅时仅添加镓作为掺杂剂，在制备第n棒单晶硅时同时加入镓和锑；所述镓和锑为固体镓和固体锑；所述镓和锑的质量比为64~65:48~49；在制备前n-1棒单晶硅时，所述镓的添加量以单晶硅头部电阻率为1.0-1.3Ω·cm的标准执行；在制备第n棒单晶硅时，所述镓和锑的添加总量以单晶硅头部的电阻率为1.0-1.3Ω·cm的标准执行。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶澳太阳能有限公司 单晶硅及其制备方法

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