申请/专利权人:北京金冠智能电气科技有限公司
申请日:2022-10-09
公开(公告)日:2023-01-24
公开(公告)号:CN115296327B
主分类号:H02J3/36
分类号:H02J3/36;H02H7/26;H02M1/088;H02M1/32
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.01.24#授权;2022.11.22#实质审查的生效;2022.11.04#公开
摘要:本发明属于电源技术领域,提出了交直流微电网运行保护电路,包括交流母线和直流母线,交流母线和直流母线之间通过双向AC‑DC模块连接,双向AC‑DC模块包括多个半桥电路,每一半桥电路均设置有驱动保护电路,其中一个半桥电路包括开关管Q1和开关管Q2,驱动保护电路包括驱动芯片U2和过流保护电路,驱动芯片U2的高端输入和低端输入均与主控芯片连接,驱动芯片U2的高端输出与开关管Q1的栅极连接,驱动芯片的高端浮置偏移电压端与开关管Q1的发射极连接,驱动芯片U2的低端输出与开关管Q2的栅极连接,过流保护电路的输出端接入驱动芯片U2的关断端。通过上述技术方案,解决了现有技术中交直流微电网运行保护电路可靠性差的问题。
主权项:1.交直流微电网运行保护电路,所述交直流微电网包括交流母线和直流母线,所述交流母线和直流母线之间通过双向AC-DC模块连接,所述双向AC-DC模块包括多个半桥电路,每一所述半桥电路均设置有驱动保护电路(1),其中一个半桥电路包括开关管Q1和开关管Q2,其特征在于,所述驱动保护电路(1)包括驱动芯片U2和过流保护电路,所述驱动芯片U2的高端输入和低端输入均与主控芯片连接,所述驱动芯片U2的高端输出与所述开关管Q1的栅极连接,所述驱动芯片的高端浮置偏移电压端与所述开关管Q1的发射极连接,所述驱动芯片U2的低端输出与所述开关管Q2的栅极连接,所述过流保护电路包括电阻R2、电阻R1、电阻R4和比较器U3,所述电阻R2的第一端与所述开关管Q2的发射极连接,所述电阻R2的第二端接地,所述电阻R1的第一端依次通过电阻R1、电阻R4接地,所述电阻R1和所述电阻R4的串联点接入所述比较器U3的同相输入端,所述比较器U3的反相输入端与基准电压VREF1连接,所述比较器U3的输出端接入所述驱动芯片U2的关断端。
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