申请/专利权人：广东汇芯半导体有限公司

申请日：2022-10-11

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115333342B

主分类号：H02M1/088

分类号：H02M1/088;H02M1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权;2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开

摘要：本发明提供一种高压集成电路和半导体电路，所述高压集成电路包括第一晶体管、自举控制电路、升压电路以及驱动电路；所述第一晶体管连接至所述高压集成电路的电源电压端口；所述自举控制电路用于将所述升压电路输出的电压处理产生自举电压，再检测所述自举电压的大小并根据所述自举电压的大小控制所述第一晶体管的开通和断开；所述自举电压高于预设值时，所述自举控制电路控制所述第一晶体管的断开以隔离所述自举电压通过所述第一晶体管输出至所述高压集成电路的电源电压端口；所述升压电路用于将所述高压集成电路的电源电压端口输入的电源电压升压。与相关技术相比，本发明的高压集成电路和半导体电路的可靠性高。

主权项：1.一种高压集成电路，其特征在于，所述高压集成电路包括第一晶体管、自举控制电路、升压电路以及驱动电路；所述第一晶体管连接至所述高压集成电路的电源电压端口；所述自举控制电路用于将所述升压电路输出的电压处理产生自举电压，再检测所述自举电压的大小并根据所述自举电压的大小控制所述第一晶体管的开通和断开；所述自举电压高于预设值时，所述自举控制电路控制所述第一晶体管的断开以隔离所述自举电压通过所述第一晶体管输出至所述高压集成电路的电源电压端口；所述升压电路用于将所述高压集成电路的电源电压端口输入的电源电压升压；所述驱动电路用于驱动外部的开关管；所述第一晶体管的源极连接至所述高压集成电路的电源电压端口；所述第一晶体管的漏极连接至所述高压集成电路的VB1端口；所述第一晶体管的栅极连接至所述自举控制电路的第二端；所述自举控制电路的第一端连接至所述升压电路的第一端；所述升压电路的第二端连接所述驱动电路；所述第一晶体管为MOS管；所述自举控制电路包括比较器、第二晶体管、施密特触发器、与非门、反相器、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻；所述施密特触发器的输入端作为所述自举控制电路的第一端，且所述施密特触发器的输入端分别连接至所述高压集成电路的LINa端口和所述第二晶体管的栅极；所述施密特触发器的输出端连接至所述与非门的第一输入端；所述与非门的输出端连接至所述反相器的输入端；所述反相器的电源端连接至所述高压集成电路的VCC1端口；所述反相器的接地端连接至所述高压集成电路的VSS端口；所述反相器的输出端作为所述自举控制电路的第二端，且所述反相器的输出端用于连接至所述第一晶体管的栅极；所述第二晶体管的源极连接至所述第二电阻的第一端；所述第二晶体管的漏极连接至所述高压集成电路的VB1端口；所述第二电阻的第二端分别连接至所述第三电阻的第一端和所述比较器的负输入端；所述第三电阻的第二端连接至所述高压集成电路的VSS端口；所述第一电阻的第一端连接至所述高压集成电路的电源电压端口；所述第一电阻的第二端分别连接至所述第四电阻的第一端和所述比较器的正输入端；所述第四电阻的第二端连接至所述高压集成电路的VSS端口；所述比较器的电源端连接至所述高压集成电路的VCC1端口；所述比较器的接地端连接至所述高压集成电路的VSS端口；所述比较器的输出端连接至所述与非门的第二输入端。

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