申请/专利权人:日月光半导体制造股份有限公司
申请日:2022-06-20
公开(公告)日:2023-01-24
公开(公告)号:CN218385216U
主分类号:H01L23/498
分类号:H01L23/498;H01L23/64
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.01.24#授权
摘要:本实用新型的实施例提供了一种半导体衬底,包括:保护层,具有齐平的上表面;第一电子元件和第二电子元件,并排地内埋于保护层内,第一电子元件和第二电子元件的尺寸不同;复数个通孔,自保护层的上表面延伸至第一电子元件和第二电子元件的连接件,复数个通孔具有不同深度并且具有相同的高宽比。本实用新型的目的在于提供一种半导体衬底,以在实现通孔与所有内埋元件电连接的同时,不会造成元件损伤,提高了半导体衬底的良率。
主权项:1.一种半导体衬底,其特征在于,包括:保护层,具有齐平的上表面;第一电子元件和第二电子元件,并排地内埋于所述保护层内,所述第一电子元件和所述第二电子元件的尺寸不同;复数个通孔,自所述保护层的所述上表面延伸至所述第一电子元件和所述第二电子元件的连接件,所述复数个通孔具有不同深度并且具有相同的高宽比。
全文数据:
权利要求:
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