申请/专利权人：珠海创飞芯科技有限公司

申请日：2020-12-31

公开（公告）日：2023-02-24

公开（公告）号：CN112687692B

主分类号：H10B20/25

分类号：H10B20/25;G11C17/16;G11C17/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.02.24#授权;2021.05.07#实质审查的生效;2021.04.20#公开

摘要：本申请提供一种OTP器件结构、OTP存储器及其操作方法，所述OTP器件结构包括一个高压选通管、一个低压选通管和一个反熔丝；在OTP器件结构进行编程操作时，高压选通管和反熔丝导通，而低压选通管截止；在进行读取操作时，低压选通管和反熔丝导通，而高压选通管截止，从而使得在编程时具有较高的可靠性，而在读出电流时，具有较大的读出电流。也即使得OTP嵌入式存储器能够同时保证编程高可靠性和读出电流较大。

主权项：1.一种OTP器件结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底上的低压选通管、高压选通管和反熔丝；所述高压选通管、所述反熔丝和所述低压选通管依次串联，其中，所述高压选通管的第一端用于连接第一位线；所述高压选通管的第二端与所述反熔丝的第一端相连；所述反熔丝的第二端与所述低压选通管的第一端相连；所述低压选通管的第二端用于连接第二位线；所述高压选通管的控制端用于连接第一字线、所述反熔丝的控制端用于连接第二字线、所述低压选通管的控制端用于连接第三字线；或者，所述高压选通管、所述反熔丝和所述低压选通管相互并联，其中，所述高压选通管的第一端用于连接第一位线；所述高压选通管的第二端与所述反熔丝的第二端、所述低压选通管的第一端相连；所述反熔丝的第一端浮空；所述低压选通管的第二端用于连接第二位线；所述高压选通管的控制端用于连接第一字线、所述反熔丝的控制端用于连接第二字线、所述低压选通管的控制端用于连接第三字线；在所述OTP器件结构进行编程操作时，所述高压选通管和所述反熔丝导通，所述低压选通管截止；在进行读取操作时，所述低压选通管和所述反熔丝导通，所述高压选通管截止。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 珠海创飞芯科技有限公司 OTP器件结构、OTP存储器及其操作方法

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