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【发明公布】一种大面积无污染制备BN/GRA/BN结构应用于场效应晶体管方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202211481845.8 

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日:2022-11-24

公开(公告)日:2023-03-03

公开(公告)号:CN115732562A

主分类号:H01L29/78

分类号:H01L29/78;H01L29/267;H01L29/26;H01L21/336

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.03.21#实质审查的生效;2023.03.03#公开

摘要:本发明提出的是一种大面积无污染制备BNGRABN结构应用于场效应晶体管方法,其目的是解决衬底和栅介质两个界面对石墨烯载流子迁移有很大影响的问题,制备一种大面积无污染的BNGRABN结构。本发明通过BNGRABN结构制备,没有使用转移载体,避免转移载体去除不干净导致的污染;BNGRABN结构制备,BN与GRA材料直接接触,经过高温处理,达到GRA和BN生长温度,使两层Cu接近熔融态,冷却后Cu凝固使GRA与BN结合,避免了传统液相转移导致BN与GRA材料界面存在水及其他杂质残留,实现BN与GRA材料之间完美接触;BNGRABN结构,可以有效降低衬底和栅介质两个界面对石墨烯沟道载流子影响,提高石墨烯晶体管性能。

主权项:1.一种大面积无污染制备BNGRABN结构应用于场效应晶体管方法,其特征在于,具体步骤如下:步骤一:采用Cu衬底CVD生长的单层石墨烯(GRA)和氮化硼BN材料,将CuBN材料的Cu面固定在硬质基板上,再将BN与GRA材料面接触,经过高温处理,达到GRA和BN生长温度,使两层Cu接近熔融态,冷却后Cu凝固使GRA与BN结合,腐蚀去除GRA上表面Cu衬底,清洗干净样品;步骤二:再贴合一层BN材料在GAR材料上,经过高温处理,使两层Cu接近熔融态,冷却后Cu凝固使GRA与BN结合,腐蚀去除BN上表面Cu衬底,清洗干净样品;步骤三:将BNGRABN结构材料样品固定在目标衬底上,腐蚀去除BN表面Cu衬底,去除基板,清洗干净BNGRABN表面;步骤四:以平面光刻显影技术隔离图形,去除隔离区外BNGRABN材料,以平面光刻显影技术做出源漏图形,蒸发源漏金属,剥离金属,完成源漏电极制备;步骤五:以平面光刻显影技术做出栅极图形,生长栅介质,蒸发栅金属,后剥离,完成场效应晶体管器件制备。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种大面积无污染制备BN/GRA/BN结构应用于场效应晶体管方法

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