申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日：2022-12-21

公开（公告）日：2023-03-07

公开（公告）号：CN115747758A

主分类号：C23C16/34

分类号：C23C16/34;C23C16/06;C23C16/40;C22F1/08;C22F1/02;C23C16/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.24#实质审查的生效;2023.03.07#公开

摘要：本发明提供了一种图形化h‑BN薄膜及MIS半导体器件的制备方法。本发明的h‑BN薄膜的制备方法，包括以下步骤：在衬底上制备图形化GaN；在图形化GaN上制备Cu以形成图形化Cu；利用氮化硼前驱体，在图形化Cu上生长得到h‑BN薄膜，即得图形化h‑BN薄膜；本发明的h‑BN薄膜的制备方法，利用Cu、GaN两种衬底的催化特性的区别，实现h‑BN在Cu衬底上生长而无法在GaN上生长，达到原位生长微图案化h‑BN的目的，从而避免传统二维材料图形刻蚀工艺带来的边缘缺陷，导致载流子复合和漏电等问题；将本发明制备的h‑BN薄膜作为电介质层制备MIS半导体器件，可以提高半导体器件的性能和工作稳定性。

主权项：1.一种图形化h-BN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上制备图形化GaN；在所述图形化GaN上制备Cu以形成图形化Cu；利用氮化硼前驱体，在图形化Cu上生长得到h-BN薄膜，即得图形化h-BN薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种图形化h-BN薄膜及MIS半导体器件的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD