申请/专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所

申请日：2022-11-29

公开（公告）日：2023-03-10

公开（公告）号：CN115776023A

主分类号：H01R43/02

分类号：H01R43/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.28#实质审查的生效;2023.03.10#公开

摘要：本发明公开了一种SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法，包括：去金处理和搪锡处理；所述搪锡处理包括，搪锡预热阶段、搪锡阶段、焊锡整平阶段、搪锡冷却阶段；其中，焊锡整平阶段温度下降速率为10‑40℃s，焊锡整平时间t5为2‑6s，并且在焊锡冷却至液相线之前完成焊锡整平。本发明所述方法能够实现SMP连接器内、外导体去金，获得的SMP连接器镀层均匀，未发生焊锡拉尖、短路等缺陷，去金搪锡质量和一致性较为优异。

主权项：1.一种SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法，其特征在于，包括：去金处理和搪锡处理；所述搪锡处理包括，搪锡预热阶段、搪锡阶段、焊锡整平阶段、搪锡冷却阶段；其中，焊锡整平阶段温度下降速率为10-40℃s，焊锡整平时间t5为2-6s，并且在焊锡冷却至液相线之前完成焊锡整平。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法

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