申请/专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

申请日：2021-07-23

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115802764A

主分类号：H10K10/46

分类号：H10K10/46;H10K85/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：一种隧穿晶体管，其包括：一栅极；一绝缘层，该绝缘层设置于所述栅极的表面；一单根碳纳米管，该单根碳纳米管设置于所述绝缘层远离所述栅极的表面，所述单根碳纳米管为半导体性碳纳米管；一膜状结构，该膜状结构直接接触所述单根碳纳米管的一部分，所述膜状结构为二硫化钼膜或者二硫化钨膜；一源极，该源极与所述膜状结构电连接；以及一漏极，该漏极与所述单根碳纳米管电连接。

主权项：1.一种隧穿晶体管，其包括一栅极、一绝缘层、一源极和一漏极，所述绝缘层设置于所述栅极的表面；其特征在于，所述隧穿晶体管进一步包括一单根碳纳米管和一膜状结构，所述单根碳纳米管设置于所述绝缘层远离所述栅极的表面，所述单根碳纳米管为半导体性碳纳米管；所述膜状结构直接接触所述单根碳纳米管的一部分，所述膜状结构为二硫化钼膜或者二硫化钨膜；所述源极与所述膜状结构电连接，所述漏极与所述单根碳纳米管电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 隧穿晶体管

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