申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-09-10

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115802875A

主分类号：H10N70/20

分类号：H10N70/20;H10B63/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本公开提供一种相变存储器及相变存储器的制作方法，相变存储器包括衬底；堆叠结构，堆叠结构设置于衬底；加热层，被设置为堆叠结构的一部分；相变层，设置于堆叠结构内；导电层，设置于相变层内，相变层包覆导电层，导电层沿堆叠结构的厚度方向延伸；导电层与加热层之间存在电流通路，相变层与加热层相连的区域产生相变。在本公开中的导电层沿堆叠结构的厚度方向延伸，相变层包覆导电层，增大了相变层与加热层在垂直方向上的连接区域，提升了相变层的利用率，提高了相变存储器的存储密度。

主权项：1.一种相变存储器，其特征在于，所述相变存储器包括：衬底；堆叠结构，所述堆叠结构设置于所述衬底；加热层，被设置为所述堆叠结构的一部分；相变层，设置于所述堆叠结构内；导电层，设置于所述相变层内，所述相变层包覆所述导电层，所述导电层沿所述堆叠结构的厚度方向延伸；所述导电层与所述加热层之间存在电流通路，所述相变层与所述加热层相连的区域产生相变。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 相变存储器及相变存储器的制作方法

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