申请/专利权人：苏州湃矽科技有限公司

申请日：2021-09-10

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115793294A

主分类号：G02F1/03

分类号：G02F1/03;G02F1/035;G02F1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本申请具体涉及一种电光调制器及其制备方法，包括：提供基底，并于基底的上表面形成波导及底层电极；形成覆盖介质层及金属电极；于覆盖介质层的上表面形成支撑衬底；去除基底；提供铌酸锂薄膜，并将铌酸锂薄膜键合于覆盖介质层远离支撑衬底的表面；铌酸锂薄膜位于波导的正下方。上述实施例中的电光调制器的制备方法中，通过将铌酸锂薄膜键合到具有波导的电光芯片上，不需要将铌酸锂薄膜图形化为铌酸锂波导，光能够在波导和铌酸锂薄膜中实现自对准，不需要耦合。

主权项：1.一种电光调制器的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；并于所述基底的上表面形成波导及底层电极，所述底层电极位于所述波导相对的两侧，且与所述波导具有间距；形成覆盖介质层及金属电极，所述覆盖介质层位于所述基底的上表面，且覆盖所述波导及底层电极；所述金属电极位于所述覆盖介质层内，且位于所述底层电极上，与所述底层电极相连接；于所述覆盖介质层的上表面形成支撑衬底；去除所述基底；提供铌酸锂薄膜，并将所述铌酸锂薄膜键合于所述覆盖介质层远离所述支撑衬底的表面；所述铌酸锂薄膜位于所述波导的正下方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州湃矽科技有限公司 电光调制器及其制备方法

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