申请/专利权人:信越半导体株式会社
申请日:2021-05-26
公开(公告)日:2023-03-14
公开(公告)号:CN115803875A
主分类号:H01L23/32
分类号:H01L23/32;H01L23/14
优先权:["20200707 JP 2020-117118"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开
摘要:本发明是一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置使用了用贯穿电极将在单晶硅基板上形成的半导体元件之间连接的中介层基板,其特征在于,包含以下工序:准备包含掺杂剂的所述单晶硅基板;在所述单晶硅基板上形成所述半导体元件及所述贯穿电极而获得所述中介层基板;通过对所述单晶硅基板中的至少所述贯穿电极的形成部周边照射粒子束,从而使所述贯穿电极的形成部周边区域的所述掺杂剂惰性化。由此,提供一种半导体装置的制造方法,能够制造改善了传输损耗特性的半导体装置。
主权项:1.一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置使用了用贯穿电极将在单晶硅基板上形成的半导体元件之间连接的中介层基板,其特征在于,包含以下工序:准备包含掺杂剂的所述单晶硅基板;在所述单晶硅基板上形成所述半导体元件及所述贯穿电极而获得所述中介层基板;以及通过对所述单晶硅基板中的至少所述贯穿电极的形成部周边照射粒子束,从而使所述贯穿电极的形成部周边区域的所述掺杂剂惰性化。
全文数据:
权利要求:
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