买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】半导体装置的制造方法以及半导体装置_信越半导体株式会社_202180044129.0 

申请/专利权人:信越半导体株式会社

申请日:2021-05-26

公开(公告)日:2023-03-14

公开(公告)号:CN115803875A

主分类号:H01L23/32

分类号:H01L23/32;H01L23/14

优先权:["20200707 JP 2020-117118"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要:本发明是一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置使用了用贯穿电极将在单晶硅基板上形成的半导体元件之间连接的中介层基板,其特征在于,包含以下工序:准备包含掺杂剂的所述单晶硅基板;在所述单晶硅基板上形成所述半导体元件及所述贯穿电极而获得所述中介层基板;通过对所述单晶硅基板中的至少所述贯穿电极的形成部周边照射粒子束,从而使所述贯穿电极的形成部周边区域的所述掺杂剂惰性化。由此,提供一种半导体装置的制造方法,能够制造改善了传输损耗特性的半导体装置。

主权项:1.一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置使用了用贯穿电极将在单晶硅基板上形成的半导体元件之间连接的中介层基板,其特征在于,包含以下工序:准备包含掺杂剂的所述单晶硅基板;在所述单晶硅基板上形成所述半导体元件及所述贯穿电极而获得所述中介层基板;以及通过对所述单晶硅基板中的至少所述贯穿电极的形成部周边照射粒子束,从而使所述贯穿电极的形成部周边区域的所述掺杂剂惰性化。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 信越半导体株式会社 半导体装置的制造方法以及半导体装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。