申请/专利权人：沃孚半导体公司

申请日：2021-06-24

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115803879A

主分类号：H01L23/482

分类号：H01L23/482

优先权：["20200625 US 16/911,757"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：RF晶体管放大器包括具有基于III族氮化物的半导体层结构以及各自都在半导体层结构的上表面上的多个栅极端子、多个漏极端子和至少一个源极端子的的RF晶体管放大器管芯，在RF晶体管放大器管芯的上表面上的互连结构，以及在RF晶体管放大器管芯与互连结构之间将栅极端子、漏极端子和源极端子电连接到互连结构的耦合元件。

主权项：1.一种射频“RF”晶体管放大器，包括：RF晶体管放大器管芯，具有基于III族氮化物的半导体层结构以及各自都在所述半导体层结构的上表面上的多个栅极端子、多个漏极端子和至少一个源极端子；互连结构，在所述RF晶体管放大器管芯的上表面上；以及耦合元件，在所述RF晶体管放大器管芯与所述互连结构之间，将所述栅极端子、所述漏极端子和所述源极端子电连接到所述互连结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 沃孚半导体公司 多区射频晶体管放大器

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