申请/专利权人：通富微电子股份有限公司

申请日：2022-12-06

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115799080A

主分类号：H01L21/50

分类号：H01L21/50;H01L21/56;H01L21/768;H01L21/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本公开的实施例提供一种异质芯片封装方法，包括：提供基板、多个硅片和多个异质芯片；分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构，并得到多个硅中介板；分别将所述多个硅中介板进行切割，得到多个目标硅中介块；将所述多个目标硅中介块固定在所述基板上对应的凹槽内；分别将所述多个异质芯片互连设置在对应的所述多个目标硅中介块上。将大的硅中介板切割成小的硅中介块，避免了减薄过程中硅中介层的翘曲、破裂。将不同规格的硅中介块根据异质芯片的安装需求进行组合，与异质芯片之间互相对应安装、且可一次成型，缩小了硅中介层的整体面积以及各个芯片的间距，大大提高了封装整体的集成度。

主权项：1.一种异质芯片封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：提供基板、多个硅片和多个异质芯片；其中，所述基板的正面设置有多个凹槽；分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构，并得到多个硅中介板；其中，至少一个所述硅中介板与其它硅中介板不同；分别将所述多个硅中介板进行切割，得到多个目标硅中介块；将至少一个所述目标硅中介块的正面固定于对应的所述凹槽内，将其余至少一个所述硅中介块的背面固定于对应的所述凹槽内；其中，至少一个所述目标硅中介块的厚度与其它目标硅中介块不同；分别将所述多个异质芯片互连设置在对应的所述多个目标硅中介块上。

全文数据：

权利要求：

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