申请/专利权人：中国科学技术大学

申请日：2022-12-15

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115793412A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本发明公开了一种非成像半导体套刻误差测量装置及方法，包括搭建明暗场单像素成像光路；基于单像素成像光路进行非成像前提下的傅里叶频域采集；通过傅里叶频域的计算获取二维互相关系数分布；利用二维互相关系数分布进行轮廓中心亚像素定位；通过两个轮廓的亚像素定位作差计算套刻误差。本发明实现了在无需成像的前提下，仅通过光强测量直接定位检测目标的亚像素轮廓中心并计算套刻误差，极大的降低了图形运算所产生的数据量，提高了测量效率，拓展了单像素成像技术在半导体套刻误差测量领域的应用。

主权项：1.一种双模态单像素成像光路，其特征在于，包括：主动式单像素明场成像模块；被动式单像素暗场成像模块；通过分光器，在主动式单像素明场成像模块和被动式单像素暗场成像模块之间切换；主动式单像素明场成像模块对检测目标做单像素傅里叶频域采集，得到检测目标的明场傅里叶频域；被动式单像素暗场成像模块对检测目标做单像素傅里叶频域采集，得到检测目标的暗场傅里叶频域；所述主动式单像素明场成像模块，包括：光源；空间光调制器；成像透镜；凹面反射镜；光电传感器；分光器；在主动式明场单像素成像模块中，光从光源发出，照射在分光器的外斜面，与其呈45度夹角；光的一半分量透过斜面，且不改变方向，由凹面放射镜汇聚并反射后，照射在空间光调制器上；空间光调制器对光进行调制，得到结构光场；结构光场被反射到成像透镜；结构光场经过成像透镜，投影在检测目标表面；检测目标表面反射结构光场，照在光电传感器靶面；光电传感器测量结构光场总强度，通过结构光场强度和结构光场的相关性计算，得到检测目标的明场傅里叶频域指定位置的傅里叶频点值；通过频域扫描，得到检测目标的明场傅里叶频域。所述被动式单像素暗场成像模块包括：光源；空间光调制器；成像透镜；凹面反射镜；光电传感器；分光器；在被动式暗场单像素成像模块中，光从光源发出，照射在检测目标表面，在检测目标表面发生漫反射；产生的漫射光通过成像透镜，成像在空间光调制器上；空间光调制器对光进行调制，得到结构光场；结构光场被反射到凹面镜表面；结构光场经过凹面反射镜的汇聚和反射后，入射到分光器的内斜面，并与其呈45度夹角；结构光场经过分光器的内斜面反射后，照在光电探测器靶面；光电传感器测量结构光场总强度，通过结构光场强度和结构光场的相关性计算，得到检测目标的暗场傅里叶频域指定位置的傅里叶频点值；通过频域扫描，得到检测目标的暗场傅里叶频域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学技术大学 一种非成像半导体套刻误差测量装置及方法

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