申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司

申请日：2022-12-22

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115791818A

主分类号：G01N21/94

分类号：G01N21/94;G01N1/44;G01N1/34

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本发明涉及一种硅片缺陷的检测方法，包括以下步骤：将待检测硅片切割为两片待检测子硅片；将两片待检测子硅片进行金属污染处理；将两片待检测子硅片进行不同的热处理，并根据两片待检测子硅片是否显现铜污染图案，判断待检测硅片的缺陷。将待检测硅片切割为两片待检测子硅片，并对两片待检测子硅片进行不同的热处理，根据pv区和pi区的特性，使得两片待检测子硅片出现不同的结果，则可以准确的判断出pv区和pi区。

主权项：1.一种硅片缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：将待检测硅片切割为两片待检测子硅片；将两片待检测子硅片进行金属污染处理；将两片待检测子硅片进行不同的热处理，并根据两片待检测子硅片是否显现铜污染图案，判断待检测硅片的缺陷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 硅片缺陷的检测方法

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