申请/专利权人：思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司

申请日：2022-12-22

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115800693A

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08;H02M1/088

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本发明揭示了一种浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法，所述浮轨电路用于为栅极驱动器供电，包括：第一MOS管，所述第一MOS管的漏极和源极分别与第一电位和浮动电位相连，栅极与钳位节点相连；第三电阻R3，电性连接于浮动电位和第二电位之间；电流源，电性连接于第一电位和钳位节点之间，所述电流源两端的电压为基准电压VREF，内阻为第一电阻R1；第二电阻R2及第二MOS管，电性连接于钳位节点与第二节点之间；其中，所述第一MOS管和第二MOS管同为PMOS管或NMOS管，第二电位和浮动电位之间的浮轨电压为栅极驱动器的供电电压。本发明的浮轨电路能够提供恒定的浮轨电压，该电压不随工艺、电压和温度的变化而变化。

主权项：1.一种浮轨电路，用于为栅极驱动器供电，其特征在于，所述浮轨电路包括：第一MOS管，所述第一MOS管的漏极和源极分别与第一电位和浮动电位相连，栅极与钳位节点相连；第三电阻R3，电性连接于浮动电位和第二电位之间；电流源，电性连接于第一电位和钳位节点之间，所述电流源两端的电压为基准电压VREF，内阻为第一电阻R1；第二电阻R2及第二MOS管，电性连接于钳位节点与第二节点之间；其中，所述第一MOS管和第二MOS管同为PMOS管或NMOS管，第二电位和浮动电位之间的浮轨电压为栅极驱动器的供电电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司 浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法

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