申请/专利权人:TDK株式会社
申请日:2019-06-26
公开(公告)日:2023-03-14
公开(公告)号:CN115802868A
主分类号:H10N50/85
分类号:H10N50/85;H10N50/10
优先权:["20180628 JP 2018-123538"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开
摘要:一种磁阻效应元件,其具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、和夹持于上述第一铁磁性层及上述第二铁磁性层之间的隧道势垒层,上述隧道势垒层是分别含有一层以上的具有尖晶石结构的第一氧化物层和具有组成与上述第一氧化物层不同的尖晶石结构的第二氧化物层的层叠体。
主权项:1.一种磁阻效应元件,其中,所述磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及被夹持于所述第一铁磁性层及所述第二铁磁性层之间的隧道势垒层,所述隧道势垒层是分别含有一层以上的第一氧化物层、和具有组成与所述第一氧化物层不同的第二氧化物层的层叠体,所述第一氧化物层含有由下述通式I表示的金属或合金构成的氧化物,所述第二氧化物层含有由下述通式II表示的金属或合金构成的氧化物,A1-xBx……IA1-yBy……II其中,通式I及通式II中,A分别独立地为Mg或Zn,B分别独立地为选自Al、Ga及In中的至少一种金属,x及y满足0<x≤1、0<y≤1、|y-x|≥0.005。
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