申请/专利权人:广州粤芯半导体技术有限公司
申请日:2023-01-31
公开(公告)日:2023-03-14
公开(公告)号:CN115799103A
主分类号:H01L21/66
分类号:H01L21/66
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.05.16#授权;2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开
摘要:本发明提供了一种缺陷检测方法,包括步骤:提供形成有绝缘介质层和图案化金属层的待检测晶圆;对图案化金属层的表面进行第一次缺陷扫描,以获得第一扫描图像,根据第一扫描图像确定图案化金属层的表面的缺陷位置信息;对图案化金属层暴露的部分绝缘介质层进行第二次缺陷扫描,以获得第二扫描图像,根据第二扫描图像确定图案化金属层的底部的缺陷位置信息。本发明的缺陷检测方法,在对图案化金属层的表面进行常规的第一次缺陷扫描之前或之后,对图案化金属层的底部进行第二次缺陷扫描,第二次缺陷扫描可对图案化金属层的底部内切缺陷进行自动线上检测,解决了现有的检测方法中,难以检测到底部内切缺陷的问题,提高了检测效率,确保了晶圆良率。
主权项:1.一种缺陷检测方法,其特征在于,包括以下步骤:提供待检测晶圆,所述待检测晶圆包括绝缘介质层和形成于所述绝缘介质层上的图案化金属层,所述图案化金属层暴露部分所述绝缘介质层;对所述图案化金属层的表面进行第一次缺陷扫描,以获得第一扫描图像,并根据所述第一扫描图像确定所述图案化金属层的表面的缺陷位置信息;对所述图案化金属层暴露的部分所述绝缘介质层进行第二次缺陷扫描,以获得第二扫描图像,并根据所述第二扫描图像确定所述图案化金属层的底部的缺陷位置信息。
全文数据:
权利要求:
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