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【发明公布】一种改善SiC Mos界面特性的方法_江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司_202310065487.0 

申请/专利权人:江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司

申请日:2023-02-06

公开(公告)日:2023-03-14

公开(公告)号:CN115784774A

主分类号:C04B41/85

分类号:C04B41/85;C04B41/80;H01L21/04

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.04.25#授权;2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要:本发明的实施例提供了一种改善SiCMos界面特性的方法,涉及碳化硅制备领域。该改善SiCMos界面特性的方法包括碳化硅表面清洗;在碳化硅表面制备阻挡层;利用等离子体对碳化硅表面进行处理,等离子体中的带电离子被阻挡层隔离,等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补;去除碳化硅表面的阻挡层;对碳化硅表面进行氧化形成SiCSiO2。在对碳化硅表面的缺陷进行修复处理之前先在碳化硅的表面制备阻挡层,使得等离子体中的带电离子被阻挡层隔离,等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补,降低了到达碳化硅表面的带电离子的数量,缓解带电离子对碳化硅表面造成损伤的问题。

主权项:1.一种改善SiCMos界面特性的方法,其特征在于,包括:碳化硅表面清洗;在碳化硅表面制备阻挡层;利用等离子体对碳化硅表面进行处理,其中,所述等离子体中的带电离子被所述阻挡层隔离,所述等离子体中的中性活性自由基穿过所述阻挡层到达所述碳化硅的表面进行修补;去除所述碳化硅表面的所述阻挡层;对所述碳化硅表面进行氧化形成SiCSiO2。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司 一种改善SiC Mos界面特性的方法

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