申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-05-09

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115799297A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/78

优先权：["20210910 KR 10-2021-0121173"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.14#公开

摘要：一种垂直沟道晶体管包括：第一源漏电极；第二源漏电极，在第一方向上与第一源漏电极间隔开；第一沟道图案，在第一源漏电极和第二源漏电极之间；第一栅电极，在第一沟道图案的侧表面上；第一栅绝缘层，在第一沟道图案和第一栅电极之间；以及第一石墨烯插入层，在第一源漏电极和第一沟道图案之间。

主权项：1.一种垂直沟道晶体管，包括：第一源漏电极；第二源漏电极，在第一方向上与所述第一源漏电极间隔开；第一沟道图案，在所述第一源漏电极和所述第二源漏电极之间；第一栅电极，在所述第一沟道图案的侧表面上；第一栅绝缘层，在所述第一沟道图案和所述第一栅电极之间；以及第一石墨烯插入层，在所述第一源漏电极和所述第一沟道图案之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 垂直沟道晶体管

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD