申请/专利权人：南方科技大学

申请日：2022-06-17

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115802763A

主分类号：H10B63/00

分类号：H10B63/00;H01L23/525

优先权：["20210806 CN 2021109039100","20211229 CN 2021116419640"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本发明提出一种具有超薄存储元的存储器，其存储膜30含有OTSOvonicThresholdSwitching膜30A，不含有单独的相变材料PCM，即Phase‑ChangeMaterial膜。在一实施例中，存储膜30的总厚度T不大于60nm。在另一实施例中，存储膜30不含有单独的编程膜。超薄存储器包括三维横向存储器和三维纵向存储器。

主权项：1.一种具有超薄存储元的存储器，其特征在于，包括：超薄存储元0X，所述超薄存储元0X包括：第一地址线10以及第二地址线20，所述第二地址线20与所述第一地址线10相交；设置于所述第一地址线10和所述第二地址线20之间的存储膜30；所述存储膜30包括：一层OTS膜30A和一层反熔丝膜30B，所述存储膜30不含有单独的PCM膜；所述存储膜30总厚度小于或等于60nm，所述第一地址线10或所述第二地址线20的宽度小于或等于60nm。

全文数据：

权利要求：

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