申请/专利权人:三星电子株式会社
申请日:2022-07-11
公开(公告)日:2023-03-14
公开(公告)号:CN115799215A
主分类号:H01L23/528
分类号:H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768;H01L27/105;H10B99/00
优先权:["20210910 KR 10-2021-0121123"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2023.03.14#公开
摘要:公开了一种半导体器件和制造其的方法。该半导体器件可以包括在其中具有在第一方向上延伸的凹槽的衬底、在凹槽中的栅极绝缘层、在凹槽中并且在栅极绝缘层上的第一导电图案、以及在凹槽中并且在第一导电图案上的字线盖图案。第一导电图案可以包括第一材料,并且可以包括与字线盖图案相邻的第一导电部分和与凹槽的底端相邻的第二导电部分。第一导电部分的第一材料的晶粒的最大尺寸可以等于或大于第二导电部分的第一材料的晶粒的最大尺寸。
主权项:1.一种半导体器件,包括:衬底,在其中具有在第一方向上延伸的凹槽;栅极绝缘层,在所述凹槽中;第一导电图案,在所述凹槽中并且在所述栅极绝缘层上;以及字线盖图案,在所述凹槽中并且在所述第一导电图案上,其中所述第一导电图案包括第一材料,其中所述第一导电图案包括与所述字线盖图案相邻的第一导电部分和与所述凹槽的底端相邻的第二导电部分,以及其中所述第一导电部分的所述第一材料的晶粒的最大尺寸等于或大于所述第二导电部分的所述第一材料的晶粒的最大尺寸。
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