申请/专利权人：瑞萨电子株式会社

申请日：2022-08-25

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115800967A

主分类号：H03K5/125

分类号：H03K5/125;G11C16/04;G11C16/06

优先权：["20210910 JP 2021-147907"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.14#公开

摘要：本公开涉及半导体装置及其主体偏置的控制方法。所提供的半导体装置及其主体偏置的控制方法即使在出现过程变化的情况下也能够适当地控制晶体管的主体偏置。环形振荡器ROSCn和ROSCp的操作速度分别由于NMOS晶体管MN侧和PMOS晶体管MP侧的过程变化的影响而改变。速度偏置数据32表示环形振荡器ROSCn和ROSCp的操作速度与主体偏置VBN和VBP的设置值V1n和V1p之间的对应关系。主体偏置控制器22接收针对环形振荡器ROSCn和ROSCp测量的速度值Sn和Sp，并根据速度偏置数据32获取设置值V1n和V1p，其中基于默认值的主体偏置VBN和VBP被分别施加到环形振荡器ROSCn和ROSCp。

主权项：1.一种半导体装置，包括：目标电路，被配置为执行期望的逻辑操作，所述目标电路包括被施加第一主体偏置的第一导电型晶体管以及被施加第二主体偏置的第二导电型晶体管；第一过程监测电路，包括第一导电型晶体管和第二导电型晶体管，所述第一过程监测电路的所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管各自具有与所述目标电路中的器件结构相同的器件结构，所述第一过程监测电路的操作速度由于所述第一导电型晶体管而非所述第二导电型晶体管的过程变化的影响而改变；第二过程监测电路，包括第一导电型晶体管和第二导电型晶体管，所述第二过程监测电路的所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管各自具有与所述目标电路中的器件结构相同的器件结构，所述第二过程监测电路的操作速度由于所述第二导电型晶体管而非所述第一导电型晶体管的过程变化的影响而改变；速度测量电路，被配置为测量所述第一过程监测电路的操作速度作为第一速度值，并且测量所述第二过程监测电路的操作速度作为第二速度值；存储器，被配置为保存速度偏置数据，所述速度偏置数据表示所述第一过程监测电路的操作速度和所述第二过程监测电路的操作速度与所述第一主体偏置的第一设置值和所述第二主体偏置的第二设置值之间的对应关系；以及主体偏置控制器，被配置为接收由所述速度测量电路测量的所述第一过程监测电路和所述第二过程监测电路的所述第一速度值和所述第二速度值，并根据所述速度偏置数据获取所述第一设置值和所述第二设置值，其中基于默认值的所述第一主体偏置和所述第二主体偏置被分别施加到所述第一过程监测电路和所述第二过程监测电路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 瑞萨电子株式会社 半导体装置及其主体偏置的控制方法

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