申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2022-08-29

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115802762A

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/80;H10N50/10;H10N50/85

优先权：["20210909 JP 2021-147086","20211213 US 17/549248"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：实施方式提供磁存储装置。其包括第1铁磁性层、包含铁或钴的第1铁磁性氧化物层、第1铁磁性层与第1铁磁性氧化物层之间的金属层、第1铁磁性氧化物层上的第2铁磁性层、第2铁磁性层上的第2铁磁性氧化物层、第2铁磁性氧化物层上的第3铁磁性层、第3铁磁性层上的绝缘层及绝缘层上的第4铁磁性层。金属层使第1铁磁性层与第1铁磁性氧化物层反铁磁性耦合。第2铁磁性层包含铁和钴中的第1铁磁性氧化物层所含的一种及第1元素组中的一种元素。第2铁磁性氧化物层包含铁和钴中的第2铁磁性层所含的一种与第1元素的合金的氧化物。第1元素具有比铁或钴的标准电极电位及第1元素组中的第2铁磁性层所含的一种元素的标准电极电位低的标准电极电位。

主权项：1.一种磁存储装置，具备：第1铁磁性层；包含铁或者钴的第1铁磁性氧化物层；金属层，其设置在所述第1铁磁性层与所述第1铁磁性氧化物层之间，使所述第1铁磁性层与所述第1铁磁性氧化物层进行反铁磁性耦合；第2铁磁性层，其设置在所述第1铁磁性氧化物层的面中的、与所述金属层相反的面上，包含铁和钴中的所述第1铁磁性氧化物层所含有的一种元素以及第1元素组中的一种元素，具有朝向与该第2铁磁性层和所述金属层的界面相交的方向的易磁化轴；第2铁磁性氧化物层，其设置在所述第2铁磁性层的面中的、与所述第1铁磁性氧化物层相反的面上，包含合金的氧化物，该合金是铁和钴中的所述第2铁磁性层所含有的所述一种元素与第1元素的合金，所述第1元素具有比铁或者钴的标准电极电位以及所述第1元素组中的所述第2铁磁性层所含有的所述一种元素的标准电极电位低的标准电极电位；所述第2铁磁性氧化物层上的第3铁磁性层；所述第3铁磁性层上的绝缘层；以及所述绝缘层上的第4铁磁性层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 磁存储装置

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