申请/专利权人：富士通光器件株式会社

申请日：2022-09-06

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115793138A

主分类号：G02B6/122

分类号：G02B6/122;G02B6/14;G02B6/12

优先权：["20210913 JP 2021-148643"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本公开涉及光集成器件、光集成电路晶圆以及制造光集成器件的方法。光集成器件包括基板和具有中空结构的波导。波导包括第一波导和第二波导，该第二波导光耦合至第一波导并且具有小于第一波导的相对折射率差的相对折射率差，并且所述波导根据光的行进将模式直径转换为光纤的模式直径。光集成器件包括凹陷部分，该凹陷部分形成在位于基板上的切割线附近，使得在所述基板的切割端表面在所述光波导的轴向方向上比所述第二波导的所述输出端表面突出得更远的状态下，所述输出端表面的宽度小于光耦合至所述输出端表面的所述光纤的芯宽度。

主权项：1.一种光集成器件，所述光集成器件包括：基板；以及光波导，所述光波导设置在所述基板上并且具有中空结构，其中，所述光波导包括：第一光波导；以及第二光波导，所述第二光波导光耦合至所述第一光波导并且具有小于所述第一光波导的相对折射率差的相对折射率差，并且所述光波导根据光从所述第一光波导到所述第二光波导的行进将模式直径转换为光纤的模式直径，并且所述光集成器件包括凹陷部分，所述凹陷部分形成在位于所述基板上的切割线附近，使得所述第二光波导的输出端表面的宽度小于光耦合至所述输出端表面的所述光纤的芯宽度，所述凹陷部分形成为如下状态，在所述状态下，所述基板的切割端表面在所述光波导的轴向方向上比所述第二光波导的所述输出端表面突出得更远。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 富士通光器件株式会社 光集成器件、光集成电路晶圆以及制造光集成器件的方法

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