申请/专利权人：赛米控电子股份有限公司

申请日：2022-09-13

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115799208A

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L25/07;H01L23/367

优先权：["20210913 DE DE102021123636.3"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.14#公开

摘要：本发明涉及功率半导体模块，其具有包括至少一个基底的基底布置结构、功率半导体组件、包括至少一个箔堆叠件的箔堆叠布置结构和导电桥接元件，相应的基底包括基底导体迹线，功率半导体组件布置在基底导体迹线上并与其导电接触，相应的箔堆叠件包括箔堆叠导体迹线，功率半导体组件通过基底导体迹线和箔堆叠导体迹线彼此导电连接以形成电路，导电桥接元件包括远离箔堆叠布置结构延伸的第一和第二接触区段和将其彼此导电连接的连接区段，第一接触区段与第一基底导体迹线或箔堆叠导体迹线导电接触，第二接触区段与第二基底导体迹线或箔堆叠导体迹线导电接触，桥接元件至少与箔堆叠布置结构的箔堆叠导体迹线的一个区段并联电连接。

主权项：1.一种功率半导体模块，其具有基底布置结构8、功率半导体组件7、箔堆叠布置结构3以及导电桥接元件9，所述基底布置结构8包括至少一个基底2，其中相应的基底2包括非导电的绝缘层6和布置在绝缘层6上的基底导体迹线5a，5b，5c，5d，所述功率半导体组件7布置在基底布置结构8的基底导体迹线5c，5d上并与其导电接触，所述箔堆叠布置结构3包括至少一个箔堆叠件10，其中相应的箔堆叠件10包括被构造成形成箔堆叠导体迹线12a，12b，12c，13a，13b的第一导电箔12和第二导电箔13，以及布置在第一导电箔12与第二导电箔13之间的非导电的绝缘箔14，其中功率半导体组件7借助于基底布置结构8的基底导体迹线5a，5b，5c，5d和箔堆叠布置结构3的箔堆叠导体迹线12a，12b，12c，13a，13b而彼此导电连接，从而形成电路，所述导电桥接元件9包括远离箔堆叠布置结构3延伸的第一接触区段9a和第二接触区段9b以及将第一接触区段9a和第二接触区段9b彼此导电连接的连接区段9c，其中第一接触区段9a与基底布置结构8的第一基底导体迹线5a导电接触或与箔堆叠布置结构3的箔堆叠导体迹线13a导电接触，并且第二接触区段9b与基底布置结构8的第二基底导体迹线5b导电接触或与箔堆叠布置结构3的箔堆叠导体迹线13a导电接触，其中桥接元件9至少与箔堆叠布置结构3的箔堆叠导体迹线13a的一个区段13a’并联电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 赛米控电子股份有限公司 功率半导体模块

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD