申请/专利权人:法国塞姆科智能科技公司
申请日:2021-07-12
公开(公告)日:2023-03-14
公开(公告)号:CN115803894A
主分类号:H01L31/0224
分类号:H01L31/0224
优先权:["20200713 FR 2007382","20201028 FR 2011026"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开
摘要:本发明涉及一种制造太阳能电池的方法,所述方法依次包括:在半导体衬底50的至少一个表面503上形成隧道氧化物52;在所述隧道氧化物上形成掺杂有第一导电类型掺杂物的第一层54;在所述第一掺杂层上形成掩模56;在所述掩模上形成掺杂有第二导电类型掺杂物的第二层57;以及使用激光通过掺杂有第二导电类型掺杂物的第二层来掺杂第一掺杂层的至少一个第一区域542、66。
主权项:1.一种制造太阳能电池的方法,所述方法依次包括:在半导体衬底50的至少一个表面503之上形成隧道氧化物52;在所述隧道氧化物之上形成掺杂有第一导电类型掺杂物的第一层54;在所述第一掺杂层上形成掩模56;在所述掩模之上形成掺杂有第二导电类型掺杂物的第二层57;和使用激光通过掺杂有第二导电类型掺杂物的第二层来掺杂第一掺杂层的至少一个第一区域542、66。
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权利要求:
百度查询: 法国塞姆科智能科技公司 太阳能电池的制造
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