申请/专利权人：米朋克斯株式会社

申请日：2016-11-04

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115791634A

主分类号：G01N21/21

分类号：G01N21/21;G01N21/23

优先权：["20151105 JP 2015-218003"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：提供一种在可见光区域能够观察微小的晶体缺陷的基板评价方法，包括以下步骤：向基板照射偏振所得到的平行光；以及基于利用透过了基板的光或经基板反射后的光得到的图像，来对基板的至少一部分的晶体品质进行评价。该平行光的半值宽度HW、发散角DA以及中心波长CWL满足以下的条件。3≤HW≤100；0.1≤DA≤5；250≤CWL≤1600。其中，中心波长CWL和半值宽度HW的单位为nm，发散角DA的单位为mrad。

主权项：1.一种基板评价方法，包括以下步骤：从LED向基板照射偏振所得到的平行光；以及评价步骤，基于利用透过了所述基板的光得到的图像，来对所述基板的至少一部分的晶体品质进行评价，其中，所述评价步骤包括利用交叉棱镜来进行评价，所述平行光的半值宽度HW、所述平行光的发散角DA、所述平行光的中心波长CWL、隔着所述基板相对置的起偏振器和检偏振器的消光比ER、所述基板的表面侧的表面粗糙度Ra1以及所述基板的背面侧的表面粗糙度Ra2满足以下的条件，3≤HW≤1000.1≤DA≤5300＜CWL＜50010-4＜ER＜10-20.001≤Ra1≤300.001≤Ra2≤30其中，中心波长CWL和半值宽度HW的单位为nm，发散角DA的单位为mrad，表面粗糙度Ra1和Ra2的单位为nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 米朋克斯株式会社 基板评价方法

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