申请/专利权人:清华大学
申请日:2022-11-07
公开(公告)日:2023-03-14
公开(公告)号:CN115784142A
主分类号:B81B7/00
分类号:B81B7/00;B81C1/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开
摘要:本申请涉及一种硅通孔结构和硅通孔结构的制作方法,硅通孔结构至少包括衬底、绝缘层和导电层。绝缘层形成在衬底通孔的内壁上,具有第一凹陷部的导电层形成在绝缘层上。在硅通孔结构内部温度升高而产生热应力时,通过第一凹陷部中的第一应力分散部对热应力进行分散,缓解了硅通孔结构因热失配而产生的翘曲问题,提升了硅通孔结构的稳定性。
主权项:1.一种硅通孔结构,其特征在于,包括:衬底,包括相背设置的第一表面和第二表面,以及贯通所述第一表面和所述第二表面的通孔;绝缘层,形成于所述通孔的内壁;以及导电层,位于所述绝缘层表面且填充于所述通孔内;所述导电层靠近所述第一表面的端面朝远离所述第一表面的方向凹陷以形成第一凹陷部;其中,所述第一凹陷部内设有第一应力分散部。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 清华大学 硅通孔结构和硅通孔结构的制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。