申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2022-11-17

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115799032A

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本发明一种侦测PFG中和能力的方法及侦测系统，其中方法包括：打开PFG，利用PFG的送气系统向离子化腔室中输送惰性气体；向离子检测模块的屏蔽罩内提供由惰性气体离子化生成的阳离子和电子；利用离子检测模块的阳离子检测杯检测与晶圆表面平行的方向上的所述阳离子的分布情况；根据所述阳离子的分布情况，获取与晶圆表面平行的方向上的所述电子的分布情况。本申请利用阳离子检测杯检测PFG发射出来的阳离子的分布情况来反向表征水平方向上PFG发射出的电子的分布情况，从而可以有效侦测PFG腔室引出的自由电子的整体分布情况是否能够满足正离子离子束流的需求，从而实现PFG中和能力的侦测。

主权项：1.一种侦测PFG中和能力的方法，其特征在于，包括：打开PFG，利用PFG的送气系统向PFG的离子化腔室中输送惰性气体，所述惰性气体在所述离子化腔室中经离子化生成阳离子和电子；向离子检测模块的屏蔽罩内提供所述阳离子和所述电子；利用离子检测模块的阳离子检测杯检测与晶圆表面平行的方向上的所述阳离子的分布情况；根据所述阳离子的分布情况，获取与晶圆表面平行的方向上的所述电子的分布情况。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 侦测PFG中和能力的方法及侦测系统

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD