申请/专利权人:西安交通大学
申请日:2022-11-22
公开(公告)日:2023-03-14
公开(公告)号:CN115799197A
主分类号:H01L23/488
分类号:H01L23/488;H01L21/60
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开
摘要:本发明提供了一种封装结构及封装键合工艺,属于半导体技术领域,第一电源转换芯片和第二电源转换芯片非对称设置于上双面覆铜基板和下双面覆铜基板内侧,第一电源转换芯片和第二电源转换芯片的集电极分别与上双面覆铜基板和下双面覆铜基板的内表面焊接,栅极分别与下双面覆铜基板和上双面覆铜基板内表面焊接。铜夹上端上表面和下表面分别与第一电源转换芯片和第二电源转换芯片的发射极焊接,下端与下双面覆铜基板内表面焊接;上引脚和下引脚分别与上双面覆铜基板和下双面覆铜基板内表面焊接,上引脚与第一电源转换芯片的集电极、发射极和栅极电连接;下引脚与第二电源转换芯片的集电极、发射极和栅极电连接。
主权项:1.一种封装结构,其特征在于,包括:相对设置的上双面覆铜基板1和下双面覆铜基板2;第一电源转换芯片3和第二电源转换芯片4,非对称设置于所述上双面覆铜基板1和下双面覆铜基板2内侧,所述第一电源转换芯片3和第二电源转换芯片4的集电极5分别与所述上双面覆铜基板1和下双面覆铜基板2的内表面焊接;所述第一电源转换芯片3和第二电源转换芯片4的栅极6分别通过第一垫块7和第二垫块8与所述下双面覆铜基板2和上双面覆铜基板1内表面焊接。铜夹9,其上端上表面和下表面分别与所述第一电源转换芯片3和第二电源转换芯片4的发射极10焊接,下端与所述下双面覆铜基板2内表面焊接;上引脚11和下引脚12,分别与所述上双面覆铜基板1和下双面覆铜基板2内表面焊接,所述上引脚11通过上双面覆铜基板1的电路与所述第一电源转换芯片3的集电极5、发射极10和栅极6电连接;所述下引脚12通过下双面覆铜基板2的电路与所述第二电源转换芯片4的集电极5、发射极10和栅极6电连接。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西安交通大学 一种封装结构及封装键合工艺
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