申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司
申请日:2022-11-25
公开(公告)日:2023-03-14
公开(公告)号:CN115799321A
主分类号:H01L29/423
分类号:H01L29/423;H01L29/78
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开
摘要:本申请公开了一种LDMOS器件,包括:衬底;栅极,其形成于衬底上方,栅极和衬底之间形成有栅介质层,栅极一侧形成有侧墙,栅极另一侧形成有SRO层,SRO层的底部覆盖栅极另一侧的顶部和周侧,栅介质层另一侧的暴露区域,以及栅极另一侧预定区域的衬底表面;SAB层,其形成于SRO层上。本申请通过在LDMOS器件的栅极和SAB层之间形成SRO层,该SRO层有利于辅助阱区耗尽,改善沟道弱反型,从而改善开关型LDMOS的漏电性能。
主权项:1.一种LDMOS器件,其特征在于,包括:衬底;栅极,所述栅极形成于所述衬底上方,所述栅极和所述衬底之间形成有栅介质层,所述栅极一侧形成有侧墙,所述栅极另一侧形成有SRO层,所述SRO层的底部覆盖所述栅极另一侧的顶部和周侧,所述栅介质层另一侧的暴露区域,以及所述栅极另一侧预定区域的衬底表面;SAB层,所述SAB层形成于所述SRO层上。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 华虹半导体(无锡)有限公司 LDMOS器件
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