申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2022-11-25

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115799321A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本申请公开了一种LDMOS器件，包括：衬底；栅极，其形成于衬底上方，栅极和衬底之间形成有栅介质层，栅极一侧形成有侧墙，栅极另一侧形成有SRO层，SRO层的底部覆盖栅极另一侧的顶部和周侧，栅介质层另一侧的暴露区域，以及栅极另一侧预定区域的衬底表面；SAB层，其形成于SRO层上。本申请通过在LDMOS器件的栅极和SAB层之间形成SRO层，该SRO层有利于辅助阱区耗尽，改善沟道弱反型，从而改善开关型LDMOS的漏电性能。

主权项：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底；栅极，所述栅极形成于所述衬底上方，所述栅极和所述衬底之间形成有栅介质层，所述栅极一侧形成有侧墙，所述栅极另一侧形成有SRO层，所述SRO层的底部覆盖所述栅极另一侧的顶部和周侧，所述栅介质层另一侧的暴露区域，以及所述栅极另一侧预定区域的衬底表面；SAB层，所述SAB层形成于所述SRO层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 LDMOS器件

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