申请/专利权人：上海功成半导体科技有限公司

申请日：2022-11-29

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115799307A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.21#授权;2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本发明涉及一种屏蔽栅功率器件及其制备方法。屏蔽栅功率器件包括：半导体层；沟槽，位于半导体层内；屏蔽栅极，位于沟槽内，屏蔽栅极的上表面低于沟槽的顶面；栅极，位于沟槽内，且位于屏蔽栅极的上方，与屏蔽栅极具有间距；空气腔，位于沟槽内，且位于栅极和屏蔽栅极之间，以将栅极与屏蔽栅极隔离。本发明的屏蔽栅功率器件，通过在栅极和屏蔽栅极之间设置空气腔作为隔离层，由于空气具有很好的隔离耐压效果，且介电常数非常低，在确保器件的源漏间耐压的基础上，即可以显著提高器件的栅源间耐压，又可以大大降低栅源寄生电容Cgs，从而提高器件的开关速度，降低开关损耗。

主权项：1.一种屏蔽栅功率器件，其特征在于，包括：半导体层；沟槽，位于所述半导体层内；屏蔽栅极，位于所述沟槽内，所述屏蔽栅极的上表面低于所述沟槽的顶面；栅极，位于所述沟槽内，且位于所述屏蔽栅极的上方，与所述屏蔽栅极具有间距；空气腔，位于所述沟槽内，且位于所述栅极和所述屏蔽栅极之间，以将所述栅极与所述屏蔽栅极隔离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海功成半导体科技有限公司 屏蔽栅功率器件及其制备方法

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