申请/专利权人：厦门三安光电有限公司

申请日：2022-11-29

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115799294A

主分类号：H01L27/15

分类号：H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光元件、发光组件及制作方法。发光元件包括至少两个相邻的发光单元及桥接在相邻发光单元上以形成彼此串联的桥接导电桥；发光单元包括外延结构、介质层；外延结构具有第一表面、第二表面；彼此串联的发光单元之间具有由第一表面向第二表面方向贯穿的沟槽；第二表面开设有若干移除区；介质层覆盖彼此串联的发光单元的第二表面并延伸跨过沟槽，桥接导电桥位于介质层背离外延结构一侧，并通过移除区与外延结构电连接。通过上述设置，使得桥接导电桥无需跨过沟槽进行沉积，从而有效避免桥接导电桥断开。并且在保证器件高压特性的同时，还能避开移除沟槽时的二次对位，有利于芯片制程的稳定性。

主权项：1.一种发光元件，其特征在于，所述发光元件包括：至少两个相邻的发光单元；桥接导电桥，所述桥接导电桥桥接在相邻的所述发光单元上以形成彼此串联；所述发光单元包括外延结构以及介质层；所述外延结构具有彼此相对的第一表面、第二表面，所述第一表面为出光面；彼此串联的所述发光单元之间具有由所述第一表面向所述第二表面方向贯穿的沟槽；所述第二表面开设有若干不贯穿外延结构的移除区；所述介质层覆盖所述发光单元的所述第二表面并跨过沟槽延伸覆盖至与之串联的所述发光单元的所述第二表面；所述桥接导电桥位于所述介质层背离所述外延结构的一侧，并通过至少一移除区与外延结构电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门三安光电有限公司 发光元件、发光组件及制作方法

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