申请/专利权人：上海精测半导体技术有限公司

申请日：2022-12-05

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115790469A

主分类号：G01B15/00

分类号：G01B15/00;G01B15/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本发明提供了一种基于小角X射线散射测量集成电路套刻误差的方法及装置，所述方法包括获取集成电路中套刻偏移测量标记的形貌结构及其关键尺寸信息；基于小角X射线散射模型，结合套刻误差测量标记的形貌结构和所述关键尺寸信息，获取套刻偏移测量标记的形状因子；基于套刻偏移测量标记的形状因子，建立小角度X射线入射至所述套刻偏移测量标记时的理论散射光强模型；对理论散射光强模型进行调制并确定调制后的散射光强为目标衍射级次位置处的峰值位置；根据所述峰值位置、所述目标衍射级次位置和所述套刻偏移量目标值计算在所述套刻偏移测量标记下的套刻误差。本发明能够快速计算不同形状套刻结构的套刻误差，并提高了测量结果的准确性。

主权项：1.一种基于小角X射线散射测量集成电路套刻误差的方法，其特征在于，包括：获取集成电路中套刻偏移测量标记的形貌结构及其关键尺寸信息，所述套刻偏移测量标记包括前层结构标记和当层结构标记，所述前层结构标记和所述当层结构标记均包括周期性结构，所述周期性结构包括若干重复排列的周期单元，所述关键尺寸信息包括所述周期单元的横截面尺寸、所述前层结构标记与所述当层结构标记的套刻偏移量目标值、所述前层结构标记与所述当层结构标记之间的垂直距离；基于小角X射线散射模型，结合所述套刻误差测量标记的形貌结构和所述关键尺寸信息，获取所述套刻偏移测量标记的形状因子；基于所述套刻偏移测量标记的形状因子，建立所述小角度X射线入射至所述套刻偏移测量标记时的理论散射光强模型；对所述理论散射光强模型进行调制并确定调制后的散射光强为目标衍射级次位置处的峰值位置；根据所述峰值位置、所述目标衍射级次位置和所述套刻偏移量目标值计算在所述套刻偏移测量标记下的套刻误差。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海精测半导体技术有限公司 基于小角X射线散射测量集成电路套刻误差的方法及装置

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