申请/专利权人：青岛物元技术有限公司

申请日：2022-12-06

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115799051A

主分类号：H01L21/033

分类号：H01L21/033;G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法、以及电子元器件，上述的半导体结构的形成方法包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成一包括SOG材料层、SiON材料层与SOC材料层的掩膜层；在掩膜层的表面上形成光刻胶层。本发明在光刻胶与硅片中间增加了包括SOG材料层、SiON材料层与SOC材料层的掩膜层，后续通过一层光刻胶作为掩膜对掩膜层进行刻蚀，将光刻胶上的目标图形转移至掩膜层，再利用掩膜层的耐刻蚀性对硅片进行刻蚀，上述过程中保持了目标图形的高分辨率，如此便在无需增加光刻胶的膜厚的同时提高了抗蚀刻性质。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底；S2：在所述半导体衬底的表面上形成一包括SOG材料层、SiON材料层与SOC材料层的掩膜层；S3：在所述掩膜层的表面上形成光刻胶层；S4：通过光刻工艺在所述光刻胶层上形成目标图形；S5：以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩膜层，以将所述目标图形转移至所述掩膜层；S6：去除所述光刻胶层；S7：以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底上刻蚀出所述目标图形；S8：在所述半导体衬底上刻蚀出所述目标图形后，去除所述掩膜层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 青岛物元技术有限公司 半导体结构及其形成方法、以及电子元器件

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