申请/专利权人：台湾艾华电子工业股份有限公司

申请日：2016-02-22

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN107102782B

主分类号：G06F3/044

分类号：G06F3/044

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权;2017.09.22#实质审查的生效;2017.08.29#公开

摘要：本发明提供一种位置传感器及其可变式电容组件。位置传感器包含可变式电容组件及电路板。可变式电容组件包含基板及介电性耦合物。基板包含基板本体、接地电极及二电源电极。接地电极与二电源电极设置在基板本体，且电源电极相间地设置于另一侧，介电性耦合物与二电源电极相间设置，并用以沿动作路径移动。其中，在介电性耦合物沿动作路径移动时，改变介电性耦合物覆盖二电源电极与接地电极的覆盖条件。在电源交变性地供应电力至该二电源电极时，电容感测电路所感应出的一对交变电容值随着覆盖位置的改变而改变，藉以定义介电性耦合物在动作路径与电路板上的相对位置。本发明利用介电性耦合物覆盖电极覆盖率变化改变电容值大小。

主权项：1.一种可变式电容组件，其特征在于，设置于一位置传感器内，所述位置传感器包含一用以感测出所述可变式电容组件的一对交变电容值的电容感测电路，所述可变式电容组件包含：一基板，包含：一基板本体，沿一长度方向延伸，并且包含一电极配置面；一接地电极，设置在所述电极配置面，沿所述长度方向延伸，并用于连接所述电容感测电路；以及至少二电源电极，在所述电极配置面上沿所述长度方向相间地设置于同一侧，并在一垂直于所述长度方向的宽度方向与所述接地电极相间，且所述至少二电源电极交变性地连接于所述电容感测电路的一电源；以及一介电性耦合物，具有一介电常数，在一与所述电极配置面垂直的垂直方向与所述接地电极及所述至少二电源电极相间设置，并用以沿一与所述长度方向平行的动作路径移动；其中，所述至少二电源电极分别具有一面向所述接地电极的平行电容效应作用面与一面向所述动作路径的边际电容效应作用面，所述平行电容效应作用面的面积大于所述边际电容效应作用面的面积，所述介电常数介于10与50之间，且在所述介电性耦合物沿所述动作路径移动时，改变所述介电性耦合物覆盖所述至少二电源电极与所述接地电极的一覆盖位置，使所述电容感测电路所感应出的所述对交变电容值随着所述覆盖位置的改变而改变，藉以定义所述介电性耦合物在所述动作路径上的一相对位置。

全文数据：位置传感器及其可变式电容组件技术领域[0001]本发明涉及一种位置传感器及其可变式电容组件，尤其涉及一种利用至少两个电极片被介电性耦合物覆盖的面积改变来使边际电容产生变化的位置传感器及其可变式电容组件。背景技术[0002]一般来说，现有的电位器主要都是利用可变电阻的阻值变化来作为位移感测的基础，然而由于此种电阻型的电位器往往容易因为电阻碳片受到电刷的磨损而造成使用寿命下降，因此现有技术中，则有利用电容效应的原理进行位移感测的技术在发展中。[0003]请参阅图1，图1显示现有技术在两电极板之间产生电容效应的平面示意图。如图所示，在一般常见的电路配置中，时常会看到电容等电子组件，而电容效应的产生主要是在电极板PA1与电极板PA2之间产生电位差，而当电极板PA1与电极板PA2为平行设置时，在电极板PA1与电极板PA2互相面向的平行面之间会形成一平行电容电场PEF，而电极板PA1与电极板PA2在两端部的背面与侧面则会形成一边际电容电场FEF。[0004]请继续参阅图2,图2显示现有技术的变面积型电容传感器的工作原理立体示意图。如图所示，当电极板PA1维持不动，而电极板PA2沿一平行方向P1相对于电极板PA1平行地移动时，由于电极板PA2覆盖电极板PA1的面积改变，即电极板PA1与电极板PA2之间的重叠面积发生变化时，电极板PA1与电极板PA2之间的平行电容电场PEF与边际电容电场FEF也会发生变化。[0005]请参阅图3,图3显示在现有技术中，两电极板相对地水平移动所导致的电容值变化示意图。如图所示，由于两电极板之间会因为电位差而产生电场，因此在现有的技术中，通常会使用铜等导电金属来作为电极板的材料，例如将两金属铜电极板由未重叠的状态位移为0%水平移动到完全重叠位移为50%，然后又水平地移开位移为100%，两金属铜电极板之间的电容值变化则如图3所示，由此可知，两导电金属板之间的电容值变化较不明显。[0006]由以上叙述可知，由于两金属电极板之间因为移动而使电容值改变的幅度并不敏锐，因此当利用平行电容效应的技术应用于位移传感器时，其通过电容变化所感测到的位移灵敏度较差，无法供使用者精准的进行控制。发明内容[0007]有鉴于现有的电容传感器主要是利用平行电容效应的原理去感测电极板的位移，然而由于利用平行电容效应进行感测的变面积型电容传感器的灵敏度主要取决于电容大小与电极板的长度，因此大都只能通过增加电极板长度来提高传感器的灵敏度，然而此方式会使传感器的尺寸较大，不利于使用者使用;缘此，为了解决现有的变面积型电容传感器主要是通过增加电极板长度的方式来增加灵敏度，本发明提供了一种位置传感器及其可变式电容组件，以利用介电性耦合物覆盖电极的覆盖率变化来改变电容值大小，进而计算出介电性耦合物的移动距离。[0008]本发明为解决现有技术的问题，所采用的必要技术手段是提供一种可变式电容组件，设置于一位置传感器内，该位置传感器包含一用以感测出该可变式电容组件的一对交变电容值的电容感测电路，该可变式电容组件包含一基板以及一介电性耦合物。[0009]基板包含一基板本体、一接地电极以及至少二电源电极。基板本体沿一长度方向延伸，并且包含一电极配置面。接地电极设置在该电极配置面，沿该长度方向延伸，并用于连接该电容感测电路。至少二电源电极在该电极配置面上沿该长度方向相间地设置于同一侧，并在一垂直于该长度方向的宽度方向与该接地电极相间，且该至少二电源电极交变性地连接于该电容感测电路的一电源。[0010]介电性耦合物具有一介电常数，在一与该电极配置面垂直的垂直方向与该接地电极及该至少二电源电极相间设置，并用以沿一与该长度方向平行的动作路径移动。[0011]其中，该至少二电源电极分别具有一面向该接地电极的平行电容效应作用面与一面向该动作路径的边际电容效应FringingElectricFieldEffects作用面，该平行电容效应作用面的面积大于该边际电容效应作用面的面积，该介电性耦合物的介电常数介于10与50之间，且在该介电性耦合物沿该动作路径移动时，改变该介电性耦合物覆盖该至少二电源电极与该接地电极的一覆盖位置，使该电容感测电路所感应出的该对交变电容值随着该覆盖位置的改变而改变，藉以定义该介电性耦合物在该动作路径上的一相对位置。[0012]由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，该至少二电源电极为一矩形片状结构。[0013]由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，该位置传感器还包含一可移动式载体，该可移动式载体在该垂直方向与该接地电极及该至少二电源电极相间设置，用以设置该介电性耦合物，并设有至少一操控组件，以供一用户操控该可移动式载体沿该动作路径移动。较佳的，该位置传感器还包含一壳体，该可移动式载体可移动地受该壳体的至少一轨道所限位。[0014]由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，该介电性耦合物为一陶瓷片。较佳的，该陶瓷片由氧化铝、氧化钙、石墨、过磷酸钙、氧化铁、氧化铜、锡石、氧化铅与氧化钛中的一个所组成；该陶瓷片的厚度介于0.5mm与1.2函1之间，该陶瓷片的长度介于16mm与25mm之间，且该陶瓷片的宽度介于10mm与15mm之间；该陶瓷片与该至少二电源电极及该接地电极在该垂直方向之间隔距离为〇.1mm与〇.5mm之间。[0015]本发明为解决现有技术的问题，更提供了另一必要技术手段，其为一种位置传感器，包含一可变式电容组件以及一电路板。可变式电容组件包含一基板以及一介电性耦合物。基板包含一基板本体、一接地电极以及至少二电源电极。基板本体沿一长度方向延伸，并且包含一电极配置面;接地电极设置在该电极配置面，沿该长度方向延伸;至少二电源电极在该电极配置面上沿该长度方向相间地设置于同一侧，并在一垂直于该长度方向的宽度方向与该接地电极相间，且该至少二电源电极交变性地连接于一电源。[0016]介电性耦合物具有一介电常数，在一与该电极配置面垂直的垂直方向与该接地电极及该至少二电源电极相间设置，并用以沿一与该长度方向平行的动作路径移动。[0017]电路板设有一电容感测电路，且该电容感测电路连接于该接地电极与该至少二电源电极，并用以感测出该可变式电容组件的一对交变电容值。[0018]其中，该至少二电源电极分别具有一面向该接地电极的平行电容效应作用面与一面向该动作路径的边际电容效应作用面，该平行电容效应作用面的面积大于该边际电容效应作用面的面积，该介电常数介于10与50之间，且在该介电性耦合物沿该动作路径移动时，改变该介电性耦合物覆盖该至少二电源电极与该接地电极的一覆盖位置，使该电容感测电路所感应出的该对交变电容值随着该覆盖位置的改变而改变，藉以定义该介电性耦合物在该动作路径上的一相对位置。[0019]由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，该至少二电源电极为一矩形片状结构。[0020]由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，位置传感器还包含一可移动式载体，该可移动式载体在该垂直方向与该接地电极及该至少二电源电极相间设置，用以设置该介电性耦合物，并设有至少一操控组件，以供一用户操控该可移动式载体沿该动作路径移动。较佳的，位置传感器还包含一壳体，该可移动式载体可移动地受该壳体的至少一轨道所限位。[0021]由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，该介电性耦合物为一陶瓷片。较佳的，该陶瓷片由氧化铝、氧化钙、石墨、过磷酸钙、氧化铁、氧化铜、锡石、氧化铅与氧化钛中的一个所组成;该陶瓷片的厚度介于0•5mm与1•2麵之间，该陶瓷片的长度介于丨6[11111与25mm之间，且该陶瓷片的宽度介于10mm与l5mm之间；该陶瓷片与该至少二电源电极及该接地电极在该垂直方向之间隔距离为0.lmm与0.5mm之间。[0022]由上述必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，该基板与该电路板整合为一整合电路板。[0023]如上所述，相较于现有技术的变面积型电容传感器主要是利用平行电容效应的技术去得知电极板的移动距离，本发明是利用介电性稱合物覆盖电源电极与接地电极的覆盖率不同来改变电源电极与接地电极之间的电容值，进而通过电容值的变化来计算出介电性耦合物的位置变化。附图说明[0024]图1显示现有技术在两电极板之间产生电容效应的平面示意图；[0025]图2显示现有技术的变面积型电容传感器的工作原理立体示意图；[0026]图3显示在现有技术中，两电极板相对地水平移动所导致的电容值变化示意图；[0027]图4显不本发明较佳实施例所提供的位置传感器的立体分解示意图；[0028]图5显不本发明较佳实施例所提供的可变式电容组件的立体分解示意图；[0029]图6显示本发明较佳实施例所提供的可变式电容组件的平面示意图；[0030]图7显示本发明较佳实施例所提供的电容感测电路的电路示意图；[0031]图8A至图8C显示介电性耦合物由起始位置沿动作路径移动至终点位置的平面示意图；[0032]图9显不介电性親合物由起始位置沿动作路径移动至终点位置的位移百分比与对应的一对交变电容值的相对关系示意图；'^[0033]图10显示本发明另一较佳实施例所提供的位置传感器的立体分解示意图。[0034]附图标记："[0035]PA1、PA2:电极板[0036]PEF:平行电容电场[0037]FEF:边际电容电场[0038]P1:平行方向[0039]100、100’：位置传感器[0040]1、1’：可变式电容组件[0041]11、11’：基板[0042]12、12’：介电性耦合物[0043]111、111’：基板本体[0044]1111、1111’：电极配置面[0045]112、112’：接地电极[0046]113、114、113’、114’：电源电极[0047]1141:平行电容效应作用面[0048]1142:边际电容效应作用面[0049]2、2’：电路板[0050]21、21’：电容感测电路[0051]3、3’：可移动式载体[0052]31、31，：操控组件[0053]4、4，：壳体[0054]L1:长度方向[0055]W1:宽度方向[0056]D:垂直方向[0057]P:动作路径[0058]CA:曲线[0059]C1:第一曲线[0060]C2:第二曲线[0061]DI:起始位置[0062]DC:中心位置[0063]DT:终点位置[0064]AS:距离[0065]AST:全程距离[0066]Vi:电源[0067]V1、V2:电压[0068]C:参考电容[0069]RC:交流转直流电路[0070]LC:滤波电路[0071]0PA:比较器具体实施方式[0072]请参阅图4至图7,图4显示本发明较佳实施例所提供的位置传感器的立体分解示意图；图5显示本发明较佳实施例所提供的可变式电容组件的立体分解示意图；图6显示本发明较佳实施例所提供的可变式电容组件的平面示意图；图7显示本发明较佳实施例所提供的电容感测电路的电路示意图。[0073]如图所示，一种位置传感器100包含一可变式电容组件1、一电路板2、一可移动式载体3以及一壳体4。[0074]可变式电容组件1包含一基板11以及一介电性覆盖物12。基板11包含一基板本体111、一接地电极112以及二电源电极113与电源电极114。[0075]基板本体111沿一长度方向L1延伸，并且包含一电极配置面mi。接地电极112设置在电极配置面1111，并沿长度方向L1延伸。二电源电极113与电源电极114在电极配置面1111上沿长度方向L1相间地设置于同一侧，并在一垂直于长度方向L1的宽度方向W1与接地电极112相间，且二电源电极113与电源电极114交变性地连接于一电源（图未示）。其中，所谓交变性地连接指一电源在连结于电源电极113与连结于电源电极114之间进行交替性的变化。[0076]介电性耦合物12具有一介电常数K，在一与电极配置面1111垂直的垂直方向D与接地电极112及二电源电极113与电源电极114相间设置，并用以沿一与长度方向L1平行的动作路径P移动;其中，介电性耦合物12在本实施例中例如为一陶瓷片，且陶瓷片由氧化铝、氧化钙、石墨、过磷酸钙、氧化铁、氧化铜、锡石、氧化铅与氧化钛中的一个所组成;此外，陶瓷片的厚度介于〇.5mra与1.2mm之间，陶瓷片的长度介于16mm与25mm之间，且陶瓷片的宽度介于10mm与15mm之间，而陶瓷片与二电源电极113与电源电极114及接地电极112在垂直方向D之间隔距禺为0•1mm与0.5mm之间。[0077]电路板2设置于基板11相对于电极配置面1111的另一侧，并设有一电容感测电路21，且电容感测电路21连接于接地电极112与二电源电极113与电源电极114,并用以在上述电源如图中Vi交变性地连接于可变式电容组件1的电源电极113与电源电极114时，感测出可变式电容组件1的一对交变电容值。其中，电容感测电路21实际上是有一参考电容C、一交流转直流电路RC、一滤波电路LC以及一比较器0PA所组成，藉此电容感测电路21将参考电容C与通过可变式电容组件1所感测到的一对交变电容值经由交流转直流电路RC与滤波电路LC来产生两电压V1与电压V2,进而通过比较器0PA进行比较，藉以反推出电容值的关系。[0078]在本实施例中，电容感测电路21例如是设置于电路板2链接基板11的另一侧，且电容感测电路21可以通过外接线路电性连结至接地电极112以及二电源电极113与电源电极114,或者通过内部线路直接电性连结至接地电极112与二电源电极113与电源电极114,然而电容感测电路21、接地电极112以及二电源电极113与电源电极114之间的电性连结方式为所属技术领域中常用的技术手段，故在此不多加赘述。此外，在本实施例中，基板11与电路板2整合为一整合电路板。[0079]可移动式载体3在垂直方向D与接地电极112及二电源电极113与电源电极114相间设置，用以设置介电性耦合物12,并设有一操控组件31，以供一用户通过操控组件31操控可移动式载体3沿动作路径p移动，进而带动介电性耦合物12沿动作路径P移动。在本实施例中，可移动式载体3更设有四个支撑部（图未示），藉以使可移动式载体3与基板11相间地设置，进而使介电性耦合物12在垂直方向D与接地电极112及二电源电极113与电源电极114相丨曰J坟置。[0080]壳体4固设于基板11，可移动式载体3沿长度方向^可移动地受壳体4所限位。在本实施例中，可移动式载体3沿长度方向L1可移动地受壳体4的内部轨道（图未示所限位，或者是壳体4与基板11之间所形成的空间所限位，甚至壳体4内部更可设有沿长度方向L1延伸的导柱来贯穿可移动式载体3,使可移动式载体3沿长度方向L1可移动地设置于壳体4与基板11之间。[0081]^中，如图4至图6所示，以电源电极114为例，电源电极114具有一面向接地电极1_12的平行电容效应作用面1141与一面向动作路径（图未示，相当于介电性耦合物12的边际电容效应作用面1142,平行电容效应作用面1141的面积大于边际电容效应作用面1142的面积，介电常数K介于10与50之间。在上述电源交变性地连接于电源电极113与电源电极114,且介电性耦合物12沿动作路径移动时，改变介电性耦合物12覆盖二电源电极113与电源电极114以及接地电极112的一覆盖位置，使电容感测电路21所感应出的一对交变电容值随着覆盖位置的改变而改变，藉以定义介电性耦合物12在动作路径上的一相对位置。[0082]请继续参阅图SA至图8C以及图9，图8A至图8C显示介电性耦合物由起始位置沿动作路径移动至终点位置的平面示意图；图9显示介电性耦合物由起始位置沿动作路径移动至终点位置的位移百分比与电容值的相对关系示意图。如图所示，其中，当上述电源连接于电源电极U3时，所量测的电容值与位移百分比之间的变化关系即为图9所示的一第一曲线C1，当上述电源连接于电源电极114时，所量测的电容值与位移百分比之间的变化关系即为图9所示的一第二曲线C2,由图可知，每一个位移百分比对应到第一曲线C1上的一第一电容值与第二曲线C2上的一第二电容值。上述的一对交变电容值即为第一电容值与第二电容值。由以上叙述可知，在介电性耦合物12受操作而移动到上述动作路径P上的每个位置时，都可以交变性地量测出包含第一电容值与第二电容值的一对交变电容值，并利用第一电容值与第二电容值的变化趋势来决定介电性耦合物12在动作路径P上相对位置。[0083]当介电性耦合物12由一起始位置DI沿动作路径P移动至一中心位置DC时，介电性耦合物12覆盖电源电极113的面积会逐渐减少，而介电性耦合物12覆盖电源电极114的面积则会开始增加，而当介电性耦合物12继续沿动作路径P移动至一终点位置DT时，由第一曲线C1与第二曲线C2可知，介电性耦合物12覆盖电源电极113的面积会逐渐减少至不覆盖的状态，而介电性耦合物12覆盖电源电极114的面积则会增加到完全覆盖的状态。其中，图9中的位移百分比是由介电性耦合物12由起始位置DI沿动作路径P移动的距离AS除以介电性耦合物12由起始位置DI移动至终点位置DT的全程距离AST所计算出，而电容值则是电容感测电路21可以分别通过电源电极113与电源电极114感测到，藉以形成对应于电源电极113的曲线C1与对应于电源电极114的曲线C2。此外，曲线CA表示现有技术在两金属电极板相对移动时，其电容值变化的关系。[0084]承上所述，相较于现有技术利用两金属电极板之间的平行电容效应来判断两金属电极板之间的覆盖率，由于本发明是利用介电常数K介于10与50的介电性耦合物12来覆盖接地电极112与电源电极113以及电源电极114之间因边际电容效应所产生的电场，进而增加接地电极112与电源电极113以及电源电极114之间因边际电容效应所产生的电容值，因此可以通过电容值的变化来判断介电性耦合物12的位移百分比。[0085]此外，由于本发明是利用介电性耦合物12覆盖电源电极II3与接地电极112间的电场，以及利用利用介电性耦合物I2覆盖电源电极114与接地电极II2间的电场，因此当介电性耦合物12由电源电极113的上方沿着动作路径P移动至电源电极U4的上方时，电容感测电路21可以分别通过电源电极113与电源电极114感测到两种电容值变化的曲线^与曲线C2，藉以通过曲线C1与曲线C2的趋势来判断介电性耦合物12的移动方向与相对位置。[0086]请继续参阅图10,图10显示本发明另一较佳实施例所提供的位置传感器的立体分解示意图。如图所示，一种位置传感器100’包含一可变式电容组件〖，、一电路板2’、一可移动式载体3’以及一壳体4’。[0087]可变式电容组件1’包含一基板11’以及一介电性耦合物12’。基板11，包含一基板本体111’、一接地电极112’以及二电源电极113’与电源电极114’。其中，位置传感器1〇〇’与上述的位置传感器100相似，基板本体111’同样具有一电极配置面1111，。接地电极112’以及二电源电极II3’与电源电极114’皆设置在电极配置面1111’，且介电性耦合物12’同样是藉由可移动式载体3’与接地电极II2’及二电源电极113’与电源电极114’相间设置，而壳体4’同样是固设于基板11’，而其差异主要在于电路板2’设置于基板11’相对于电极配置面1111’的另一侧，并设有一电容感测电路2广，且电容感测电路2厂连接于接地电极112,与二电源电极113’与电源电极114’。[0088]综上所述，相较于现有技术是利用两金属电极板之间的平行电容效应来判断两金属电极板之间的覆盖率，本发明利用介电常数K介于10与f50的介电性親合物来覆盖接地电极与电源电极之间因边际电容效应所产生的电场，进而增加接地电极与电源电极之间因边际电容效应所产生的电容值，因此可以通过电容值的变化来判断介电性耦合物的位移百分比，本发明不仅能有效的提高电容值变化的灵敏度，更可通过非接触的方式来增加位置传感器的使用寿命。[0089]藉由以上较佳具体实施例的详述，希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所揭示的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的保护范畴内。

权利要求：1.一种可变式电容组件，其特征在于，设置于一位置传感器内，所述位置传感器包含一用以感测出所述可变式电容组件的一对交变电容值的电容感测电路，所述可变式电容组件包含：一基板，包含：一基板本体，沿一长度方向延伸，并且包含一电极配置面；一接地电极，设置在所述电极配置面，沿所述长度方向延伸，并用于连接所述电容感测电路；以及至少二电源电极，在所述电极配置面上沿所述长度方向相间地设置于同一侧，并在一垂直于所述长度方向的宽度方向与所述接地电极相间，且所述至少二电源电极交变性地连接于所述电容感测电路的一电源；以及一介电性耦合物，具有一介电常数，在一与所述电极配置面垂直的垂直方向与所述接地电极及所述至少二电源电极相间设置，并用以沿一与所述长度方向平行的动作路径移动；其中，所述至少二电源电极分别具有一面向所述接地电极的平行电容效应作用面与=面向所述动作路径的边际电容效应作用面，所述平行电容效应作用面的面积大于所述边际电容效应作用面的面积，所述介电常数介于10与50之间，且在所述介电性耦合物沿所述动作路径移动时，改变所述介电性耦合物覆盖所述至少二电源电极与所述接地电极的一覆盖位置，使所述电容感测电路所感应出的所述对交变电容值随着所述覆盖位置的改变而改变，藉以定义所述介电性耦合物在所述动作路径上的一相对位置。2.根据权利要求1所述的可变式电容组件，其特征在于，所述至少二电源电极为一矩形片状结构。3.根据权利要求1所述的可变式电容组件，其特征在于，所述位置传感器还包含一可移动式载体，所述可移动式载体在所述垂直方向与所述接地电极及所述至少二电源电极相间设置，用以设置所述介电性耦合物，并设有至少一操控组件，以供一用户操控所述可移动式载体沿所述动作路径移动。4.根据权利要求3所述的可变式电容组件，其特征在于，所述位置传感器还包含一壳体，所述可移动式载体可移动地受所述壳体的至少一轨道所限位。5.根据权利要求1所述的可变式电容组件，其特征在于，所述介电性耦合物为一陶瓷片。6.根据权利要求5所述的可变式电容组件，其特征在于，所述陶瓷片由氧化错、氧化钙、石墨、过磷酸钙、氧化铁、氧化铜、锡石、氧化铅与氧化钛中的一个所组成。7.根据权利要求5所述的可变式电容组件，其特征在于，所述陶瓷片的厚度介于0•5mm与1.2mm之间，所述陶瓷片的长度介于16mm与25mm之间，且所述陶瓷片的宽度介于l〇mm与15mm之间。8.根据权利要求5所述的可变式电容组件，其特征在于，所述陶瓷片与所述至少二电源电极及所述接地电极在所述垂直方向之间隔距离为〇.lmra与0.5rara之间。9.一种位置传感器，其特征在于，包含：一可变式电容组件，包含：一基板，包含：一'基板本体，沿一'长度方向延伸，并且包含一'电极配置面；一接地电极，设置在所述电极配置面，沿所述长度方向延伸；以及至少二电源电极，在所述电极配置面上沿所述长度方向相间地设置于同一侧，并在一垂直于所述长度方向的宽度方向与所述接地电极相间，且所述至少二电源电极交变性地连接于一电源；以及一介电性耦合物，具有一介电常数，在一与所述电极配置面垂直的垂直方向与所述接地电极及所述至少二电源电极相间设置，并用以沿一与所述长度方向平行的动作路径移动；以及一电路板，设有一电容感测电路，且所述电容感测电路连接于所述接地电极与所述至少二电源电极，并用以感测出所述可变式电容组件的一对交变电容值；其中，所述至少二电源电极分别具有一面向所述接地电极的平行电容效应作用面与一面向所述动作路径的边际电容效应作用面，所述平行电容效应作用面的面积大于所述边际电容效应作用面的面积，所述介电常数介于10与50之间，且在所述介电性耦合物沿所述动作路径移动时，改变所述介电性耦合物覆盖所述至少二电源电极与所述接地电极的一覆盖位置，使所述电容感测电路所感应出的所述对交变电容值随着所述覆盖位置的改变而改变，藉以定义所述介电性耦合物在所述动作路径上的一相对位置。10.根据权利要求9所述的位置传感器，其特征在于，所述至少二电源电极为一矩形片状结构。11.根据权利要求9所述的位置传感器，其特征在于，还包含一可移动式载体，所述可移动式载体在所述垂直方向与所述接地电极及所述至少二电源电极相间设置，用以设置所述介电性耦合物，并设有至少一操控组件，以供一用户操控所述可移动式载体沿所述动作路径移动。12.根据权利要求11所述的位置传感器，其特征在于，还包含一壳体，所述可移动式载体可移动地受所述壳体的至少一轨道所限位。13.根据权利要求9所述的位置传感器，其特征在于，所述介电性耦合物为一陶瓷片。14.根据权利要求13所述的位置传感器，其特征在于，所述陶瓷片由氧化铝、氧化钙、石墨、过磷酸钙、氧化铁、氧化铜、锡石、氧化铅与氧化钛中的一个所组成。15.根据权利要求13所述的位置传感器，其特征在于，所述陶瓷片的厚度介于0.5mm与1•2mm之间，所述陶瓷片的长度介于16mm与25mm之间，且所述陶瓷片的宽度介于10刪与15mm之间。16.根据权利要求13所述的位置传感器，其特征在于，所述陶瓷片与所述至少二电源电极及所述接地电极在所述垂直方向之间隔距离为〇.lmm与0.5mra之间。17.根据权利要求9所述的位置传感器，其特征在于，所述基板与所述电路板整合为一整合电路板。

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