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【发明授权】用于制造半导体器件的图案形成方法和材料_台湾积体电路制造股份有限公司_201910568264.X 

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

申请日:2019-06-27

公开(公告)日:2023-03-14

公开(公告)号:CN110648904B

主分类号:H01L21/027

分类号:H01L21/027

优先权:["20180627 US 62/690,846","20190327 US 16/366,290"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.03.14#授权;2020.02.04#实质审查的生效;2020.01.03#公开

摘要:本公开涉及用于制造半导体器件的图案形成方法和材料。在图案形成方法中,在下层上方形成底层。在底层上方形成中间层。在中间层上方形成抗蚀剂图案。通过使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模对中间层进行图案化。通过使用经图案化的中间层对底层进行图案化。对下层进行图案化。中间层包含50wt%或更多的硅和有机材料。在前述和后述实施例中的一个或多个中,在形成中间层之后进一步实施退火操作。

主权项:1.一种图案形成方法,包括:在下层上方形成底层;在所述底层上方形成中间层;在所述中间层上方形成抗蚀剂图案;通过使用所述抗蚀剂图案作为蚀刻掩模对所述中间层进行图案化;通过使用经图案化的中间层对所述底层进行图案化;以及对所述下层进行图案化,其中,所述中间层包含硅和有机材料,所述硅的量为50wt%或更多,并且其中,所述中间层是通过旋涂含硅溶液来形成的,并且所述含硅溶液包括硅颗粒和溶剂,所述硅颗粒包括被多个有机配体包围的硅芯,每个所述有机配体具有化学结构R-Lp,所述化学结构R-Lp至少包括第一间隔基团R和与所述硅芯链接的极性基团Lp,所述硅芯为下列项中的任一项:固体结晶硅或非结晶硅、硅初级颗粒的簇、硅环或多孔硅。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 用于制造半导体器件的图案形成方法和材料

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