申请/专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

申请日：2018-03-08

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN110582855B

主分类号：H01L31/167

分类号：H01L31/167;H01L31/0304;H03K17/78;H03K19/14;G02F3/00

优先权：["20170502 DE 102017004149.0"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权;2020.01.10#实质审查的生效;2019.12.17#公开

摘要：一种光接收单元EM，其具有第一能量源VQ1，第一能量源具有分别构造为电流源或电压源的两个部分源TQ1，TQ2，在第一部分源TQ1的上侧上构造有第一连接接通部VSUP1，在第二部分源TQ1的下侧上构造有第二连接接通部VSUP2，部分源TQ1，TQ2分别具有至少一个半导体二极管D1，D2，第一半导体二极管D1具有与第一光波长L1相匹配的吸收棱边，第二半导体二极管D2具有与第二光波长L2相匹配的吸收棱边，第二光波长与第一光波长L1不同，从而第一部分源TQ1在以第一光波长L1进行照射的情况下产生电压，第二部分源TQ2在以第二光波长L2进行照射的情况下产生电压，第一半导体二极管D1与第二半导体二极管D2极性相反地串联连接，从而由第一半导体二极管和第二半导体二极管D1，D2所产生的电压至少部分地相互抵消。

主权项：1.一种光接收单元EM，所述光接收单元具有第一能量源VQ1，其中，所述第一能量源VQ1具有两个部分源TQ1，TQ2，所述两个部分源分别构造为电流源或电压源；所述第一能量源VQ1仅具有第一连接接通部VSUP1和第二连接接通部VSUP2；所述第一连接接通部VSUP1构造在第一部分源TQ1的上侧上，而所述第二连接接通部VSUP2构造在第二部分源TQ2的下侧上；所述第一部分源TQ1具有至少一个第一半导体二极管D1，而所述第二部分源TQ2具有至少一个第二半导体二极管D2；所述第一半导体二极管D1具有与第一光波长L1相匹配的吸收棱边，而所述第二半导体二极管D2具有与第二光波长L2相匹配的吸收棱边，从而所述第一部分源TQ1在以所述第一光波长L1进行照射的情况下产生电压，而所述第二部分源TQ2在以所述第二光波长L2进行照射的情况下产生电压；所述第一光波长L1与所述第二光波长L2相差一个波长差D；其特征在于，所述第一半导体二极管D1与所述第二半导体二极管D2极性相反地串联连接，从而由所述第一半导体二极管D1所产生的电压和由所述第二半导体二极管D2所产生的电压至少部分地相互抵消。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 光接收单元

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