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【发明授权】信号整形电路及相应的栅极驱动电路_华润微集成电路(无锡)有限公司_201911212023.8 

申请/专利权人:华润微集成电路(无锡)有限公司

申请日:2019-12-02

公开(公告)日:2023-03-14

公开(公告)号:CN112994662B

主分类号:H03K5/01

分类号:H03K5/01

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.03.14#授权;2021.07.06#实质审查的生效;2021.06.18#公开

摘要:本发明涉及一种信号整形电路及相应的栅极驱动电路,其中,所述的信号整形电路加入了额外的NMOS管,提高了对输入差分信号幅度的要求,且通过在电路中设置并联的电阻与电容,使得输入的差分信号幅值需要超过一定的值,且持续一定时间,才会被认定为触发信号,将一些干扰或器件失配造成的失调噪声有效地滤除掉,采用该信号整形电路的栅极驱动电路还包括脉冲产生电路、电平移位电路、噪声滤波电路及输出级驱动电路,通过这几个电路的配合可以有效滤除失调噪声和共模噪声。采用本发明的信号整形电路及相应的栅极驱动电路,可以使得电路更可靠的工作,性能更稳定。

主权项:1.一种信号整形电路,其特征在于,包括开启信号整形模块及关断信号整形模块;其中,所述的开启信号整形模块包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容及第一反相器;所述的第一PMOS管的栅极与第一输入信号相连接,所述的第一PMOS管的漏极分别与所述的第一电阻的第一端、所述的第一电容的第一端及所述的第二NMOS管的栅极相连接,所述的第一PMOS管的源极与所述的第一NMOS管的源极相连接;所述的第一NMOS管的栅极与第二输入信号相连接,所述的第一NMOS管的漏极和所述的第二电阻的第一端均与参考电压相连接;所述的第二NMOS管的漏极与所述的第二电阻的第二端相连接,所述的第二NMOS管的源极、所述的第一电阻的第二端及所述的第一电容的第二端均接地;所述的第一反相器的输入端与所述的第二电阻的第二端相连接,所述的第一反相器的电压端与所述的参考电压相连接,所述的第一反相器的接地端接地,所述的第一反相器的输出端构成所述的信号整形电路的第一输出端;所述的关断信号整形模块包括第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第三电阻、第四电阻、第二电容及第二反相器;所述的第二PMOS管的栅极与所述的第二输入信号相连接,所述的第二PMOS管的漏极分别与所述的第三电阻的第一端、所述的第二电容的第一端及所述的第四NMOS管的栅极相连接,所述的第二PMOS管的源极与所述的第三NMOS管的源极相连接;所述的第三NMOS管的栅极与所述的第一输入信号相连接,所述的第三NMOS管的漏极和所述的第四电阻的第一端均与所述的参考电压相连接;所述的第四NMOS管的漏极与所述的第四电阻的第二端相连接,所述的第四NMOS管的源极、所述的第三电阻的第二端及所述的第二电容的第二端均接地;所述的第二反相器的输入端与所述的第四电阻的第二端相连接,所述的第二反相器的电压端与所述的参考电压相连接,所述的第二反相器的接地端接地,所述的第二反相器的输出端构成所述的信号整形电路的第二输出端。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华润微集成电路(无锡)有限公司 信号整形电路及相应的栅极驱动电路

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