申请/专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司

申请日：2020-03-04

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN111180389B

主分类号：H01L21/77

分类号：H01L21/77;H01L27/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权;2020.06.12#实质审查的生效;2020.05.19#公开

摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，包括形成柔性衬底、缓冲层、有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源漏极、平坦化层、像素电极、像素定义层，并图案化形成可放置屏下摄像头的O‑cut区域，其中，O‑cut区域通过至少两次的黄光刻蚀图案化工艺以形成，可防止因蚀刻时间过长导致保护光阻受损，而引发的像素区域膜层受损，进而影响良率的状况。

主权项：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，在所述基板之上形成柔性衬底；在所述柔性衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成有源层；在所述有源层上形成第一绝缘层与栅极；在所述栅极上形成第二绝缘层，并形成第一过孔；在所述第二绝缘层上形成源极与漏极，所述源极与漏极通过所述第一过孔与所述有源层搭接；在所述源极与漏极上形成平坦化层；在所述平坦化层上形成像素电极；在所述像素电极上形成像素定义层，以及，在上述步骤之中，或在上述步骤之后，通过至少两次黄光蚀刻图案化工艺，在所述阵列基板上预留于放置摄像头的区域，形成一个凹槽，所述凹槽贯穿形成于所述缓冲层、第一绝缘层以及第二绝缘层之中，并使得所述柔性衬底显露，其中，所述形成一个凹槽的步骤包括：在通过黄光蚀刻图案化工艺形成所述第一过孔时，同时蚀刻去除所述凹槽区域对应的所述第二绝缘层与第一绝缘层；再在形成像素定义层后，通过黄光蚀刻图案化工艺，蚀刻去除所述凹槽区域对应的所述缓冲层，至所述柔性衬底显露。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法

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