申请/专利权人：武汉光安伦光电技术有限公司

申请日：2020-09-28

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN112366516B

主分类号：H01S5/10

分类号：H01S5/10;H01S5/185

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权;2021.03.05#实质审查的生效;2021.02.12#公开

摘要：本发明涉及一种芯片腔体的加工方法，包括S1，先对芯片腔体进行烘烤；S2，待烘烤完成后，再对芯片腔体的出光腔面进行第一次离子清洗；S3，待清洗完成后，于出光腔面上镀高透膜，高透膜至少包括覆盖在出光腔面上的第一SiO保护层；S4，待镀膜完成后，再对芯片腔面的背光腔面进行第二次离子清洗；S5，待清洗完成后，于背光腔面上镀高反膜，高反膜至少包括覆盖在背光腔面上的第二SiO保护层。还提供一种半导体激光器，包括上述芯片腔体的加工方法制得的芯片腔体。本发明采用SiO保护层提升产品腔面的致密性，降低膜层表面粗糙度，使膜系质量整体提升，降低电子束蒸发造成的柱状晶结构，减少水气及氧气渗透到半导体腔面的影响，提升高速芯片的寿命及可靠性。

主权项：1.一种芯片腔体的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，先对芯片腔体进行烘烤；S2，待烘烤完成后，再对芯片腔体的出光腔面进行第一次离子清洗；S3，待清洗完成后，于所述出光腔面上镀高透膜，所述高透膜至少包括覆盖在所述出光腔面上的第一SiO保护层；S4，待镀膜完成后，再对芯片腔面的背光腔面进行第二次离子清洗；S5，待清洗完成后，于所述背光腔面上镀高反膜，所述高反膜至少包括覆盖在所述背光腔面上的第二SiO保护层；在所述S3步骤和所述S5步骤中，所述第一SiO保护层和所述第二SiO保护层在632nm波段折射率均需在1.85～1.95之间；在所述S3步骤和所述S5步骤中，采用E-Beam蒸发镀膜，其中，离子源能量为100V3A，离子源气体Ar气，SiO镀率3.5As，Al2O3和Si镀率3As；在所述S3步骤中，所述高透膜还包括依次镀在所述第一SiO保护层上的第一Al2O3保护层和TiO2保护层；在所述S5步骤中，所述高反膜还包括依次镀在所述第二SiO保护层上的第二Al2O3保护层、第一Si保护层、第三Al2O3保护层以及第二Si保护层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉光安伦光电技术有限公司 芯片腔体的加工方法以及半导体激光器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD