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【发明授权】一种mini-LED芯片及其制作方法_厦门乾照光电股份有限公司_202011094769.6 

申请/专利权人:厦门乾照光电股份有限公司

申请日:2020-10-14

公开(公告)日:2023-03-14

公开(公告)号:CN112201650B

主分类号:H01L25/075

分类号:H01L25/075;H01L33/46;H01L33/38

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.03.14#授权;2021.01.26#实质审查的生效;2021.01.08#公开

摘要:本发明提供了一种mini‑LED芯片及其制作方法,通过设置隔离层、欧姆接触层以及反射镜,其中,所述隔离层设置于所述外延叠层的一侧侧壁;在所述外延叠层的一侧侧壁设置隔离层;所述欧姆接触层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面,并延伸至所述隔离层的表面;所述反射镜层叠于所述欧姆接触层背离所述第二型半导体层的一侧表面;同时,第二电极位于侧壁且与位于侧壁的欧姆接触层连接;第一电极位于另一侧侧壁且其底面与所述第一型半导体层形成欧姆接触。从而实现了侧壁电极的结构设计,避免电极挡光,使LED芯片的发光面积增大;同时,通过开孔从衬底背面沉积形成第一电极和第二电极,有利于电极打线时的精准对位控制。

主权项:1.一种mini-LED芯片,包括:衬底,及设置于所述衬底表面且通过沟槽相互隔离的若干个LED阵列单元;其特征在于,所述LED阵列单元包括:外延叠层,所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层;所述第一方向垂直于所述衬底,并由所述衬底指向所述外延叠层;隔离层,所述隔离层设置于所述外延叠层的一侧侧壁;欧姆接触层,所述欧姆接触层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面,并延伸至所述隔离层的表面;反射镜,所述反射镜层叠于所述欧姆接触层背离所述第二型半导体层的一侧表面;第二电极,以被保持在第二孔洞的方式沉积形成于所述外延叠层侧壁,且与位于侧壁的欧姆接触层直接或间接地形成连接;第一电极,以被保持在第一孔洞的方式沉积形成于所述外延叠层的另一侧侧壁,且所述第一电极的底面与所述第一型半导体层形成欧姆接触。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 厦门乾照光电股份有限公司 一种mini-LED芯片及其制作方法

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