申请/专利权人：株式会社LG化学

申请日：2018-01-09

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN113250794B

主分类号：F01N3/28

分类号：F01N3/28;F01N3/10;F01N3/20;F01N3/035

优先权：["20170524 KR 10-2017-0064194"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权;2021.08.31#实质审查的生效;2021.08.13#公开

摘要：本发明说明了一种通过在选择性催化还原系统中的通常发生流量偏差的区域中包括挡板构件来改善流体的流量偏差的技术。

主权项：1.一种选择性催化还原系统，所述选择性催化还原系统具有催化层，所述选择性催化还原系统包括多个挡板构件，所述多个挡板构件位于与所述催化层的前端间隔开的位置处，其中，所述多个挡板构件减小由于流体在至少一个方向上的过流断面的增大而引起的流量偏差，其中，所述多个挡板构件中的每一个包括第一部分和第二部分，其中，所述多个挡板构件中的每一个的所述第一部分和所述第二部分在所述过流断面增大的所述至少一个方向的正交方向上延伸，其中，所述第一部分的距所述催化层最远的一个端部和所述第二部分的距所述催化层最远的一个端部在所述过流断面增大的方向上是一体的，其中，在所述过流断面增大的方向上，距所述催化层越近，所述第一部分与所述第二部分之间的距离越大，其中，所述多个挡板构件中的每一个在所述流体的入口方向上突出，其中，所述多个挡板构件在所述过流断面增大的方向上彼此间隔开相同距离，其中，所述流体穿过在所述多个挡板构件之间形成的空间，其中，所述选择性催化还原系统还包括喷氨格栅，即AIG，所述AIG与所述催化层的前端间隔开，其中，所述多个挡板构件装配在所述AIG的前端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社LG化学 选择性催化还原系统

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